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Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Status de alcance	Nomes de Ulros	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F
G5S06508HT	-	RFQ	1465	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G5S06508HT	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,5 V @ 8 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	20a	550pf @ 0V, 1MHz
G3S06508C	-	RFQ	2651	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-252	Fornecedor indefinido	4436-G3S06508C	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,7 V @ 8 a	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	25.5a	550pf @ 0V, 1MHz
G5S12020BM	-	RFQ	5996	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-247-3	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-247AB	Fornecedor indefinido	4436-G5S12020BM	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	1 par cátodo comum	1200 v	33a (DC)	1,7 V @ 10 A	0 ns	30 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
G5S06505HT	-	RFQ	2302	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G5S06505HT	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,5 V @ 5 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	18.5a	395pf @ 0V, 1MHz
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G5S12020H	-	RFQ	6564	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G5S12020H	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1200 v		1,7 V @ 20 A	0 ns	50 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	24.6a	1320pf @ 0V, 1MHz
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G3S06505D	-	RFQ	8265	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-263	Fornecedor indefinido	4436-G3S06505D	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	22.6a	424pf @ 0V, 1MHz
G3S06550P	-	RFQ	8226	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-247-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-247AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S06550P	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,7 V @ 50 A	0 ns	100 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	105a	4400pf @ 0V, 1MHz
G3S17010A	-	RFQ	5569	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220AC	Fornecedor indefinido	4436-G3S17010A	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1700 v		1,7 V @ 10 A	0 ns	100 µA A 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	24a	1500pf @ 0V, 1MHz
G3S12002H	-	RFQ	8714	Global Power Technology Co. Ltd	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220F	Fornecedor indefinido	4436-G3S12002H	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		1200 v		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	7.3a	136pf @ 0V, 1MHz

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