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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSEP15-06A | 2.6300 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Ixys | Hiperfred ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | DSEP15 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DSEP1506A | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2.04 V @ 15 A | 35 ns | 100 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | ||||
![]() | Sbl3060ct_hf | - | ![]() | 4082 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | SBL3060 | Schottky | TO-220AB | download | 31-SBL3060CT_HF | Obsoleto | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 30a | 700 mV @ 15 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||
![]() | RB531SM-40T2R | 0,3900 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB531 | Schottky | EMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 610 mV @ 100 Ma | 100 µA A 40 V | 125 ° C. | 100mA | - | |||||
![]() | MBR3090PT | 0,7450 | ![]() | 180 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBR3090PTTR | Ear99 | 1.800 | ||||||||||||||||||
![]() | GS5KB | 0,0850 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-GS5KBTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | SBLB25L20CT-E3/45 | - | ![]() | 6176 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBLB25L20 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 12.5a | 490 mV @ 12,5 A | 900 µA A 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | STTH8R06GY TR | 1.7100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STTH8 | Padrão | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,2 V @ 8 A | 45 ns | 30 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | NSVR0240P2T5G | 0,6100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-923 | NSVR0240 | Schottky | SOD-923 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 600 mV a 200 mA | 5 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 7pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | Vs-murr1020cttrlp | - | ![]() | 4658 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MURB1020 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 990 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | NTE6088 | 6.1500 | ![]() | 972 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220 | download | Rohs Não Compatível | 2368-NTE6088 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 60 v | 30a | 750 mv @ 15 a | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | CUS520, H3F | 0,2000 | ![]() | 707 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | CUS520 | Schottky | USC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 280 mV a 10 mA | 5 µA A 30 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 17pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | VS-20ETF08STRR-M3 | 1.6055 | ![]() | 4544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ETF08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,31 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||
![]() | RF05VA1STR | 0,0983 | ![]() | 3724 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | RF05VA1 | Padrão | TUMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 500 mA | 25 ns | 10 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | ||||
![]() | 1N3269R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3269R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||
![]() | MBR10100CTF-E1 | - | ![]() | 5795 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MBR1010 | Schottky | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBR10100CTF-E1DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 5a | 840 mV @ 5 A | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
US1BHM2G | - | ![]() | 9863 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1B | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SURA8105T3G-VF01 | 0,2600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | Sura8105 | - | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 1n4154tr | 0,2100 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4154 | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 25 v | 1 V @ 30 Ma | 4 ns | 100 Na @ 25 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||
PMEG6010CEH-QX | 0,3600 | ![]() | 186 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 660 mV @ 1 a | 50 µA A 60 V | 150 ° C. | 1a | 60pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | MDD220-08N1 | - | ![]() | 4810 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Y2-DCB | MDD220 | Padrão | Y2-DCB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 270a | 1,4 V @ 600 A | 40 mA a 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MUR1060F | 0,3580 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tubo | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MUR1060F | Ear99 | 1.000 | ||||||||||||||||||
![]() | UF5401 | 0,1214 | ![]() | 2705 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Padrão | DO-201 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2796-UF5401tr | 8541.10.0000 | 1.700 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | VS-65APS12L-M3 | 2.4370 | ![]() | 9356 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | 65APS12 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,12 V @ 65 A | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 65a | - | |||||
![]() | 242NQ030R-1 | 38.7900 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Meio pak | 242NQ | Schottky | Prm1-1 (Módulo Half Pak) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-242NQ030R-1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 27 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 510 mV @ 240 A | 20 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 240a | 11500pf @ 5V, 1MHz | ||||
SBL1660 | - | ![]() | 8361 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 16 a | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||||||||
![]() | GI756 | 1.0000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | 2368-GI756 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 900 mV @ 6 A | 2,5 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 150pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SS210LH | 0,3075 | ![]() | 5391 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | SS210 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS210LHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | SS5U50PAQ | 0,2230 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | To-277 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS5U50PAQTR | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 640 mV @ 5 A | 150 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||
![]() | VBT2080C-E3/8W | 0,6270 | ![]() | 4125 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT2080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 10a | 810 mV @ 10 A | 600 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SK36 | 0,3300 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Surto | - | Bolsa | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK36 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2616-SK36 | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 150 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1MHz |
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