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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DB2L32400L1 | - | ![]() | 1833 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | 0201 (0603 Mética) | DB2L324 | Schottky | 0201 (0603 Mética) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 490 mV @ 500 mA | 3.2 ns | 225 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 10pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | SX35_R1_00001 | 0,4000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SX35 | Schottky | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 3 a | 100 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | APT20SCD120S | - | ![]() | 1808 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D3PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 68a | 1135pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | SDURF1030CT | 0,6200 | ![]() | 234 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SDURF1030 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-1211 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | - | 1,3 V @ 5 A | 45 ns | 30 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | 1N3169 | - | ![]() | 1353 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | 1N3169 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | GP10-4004EHM3/54 | - | ![]() | 6259 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | RURH3060CC | - | ![]() | 9185 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | Avalanche | TO-218 ISOLADO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 30a | 1,5 V @ 30 A | 60 ns | 500 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | MURS150T3 | 0,0500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | UG12J C0G | - | ![]() | 2464 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | UG12 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 12 A | 20 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||||
![]() | NTE6023 | 8.1600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6023 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 1,4 V @ 60 A | 10 mA a 80 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | |||||||
![]() | SBLB2030cthe3/45 | - | ![]() | 3472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBLB2030 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 10a | 600 mV @ 10 A | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SDUR1540 | 0.3807 | ![]() | 3436 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sdur15 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Sdur1540smc | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 15 A | 45 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||
![]() | MBRT60035L | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 300A | 600 mV @ 300 A | 3 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | HVD132-7KRF-E | 0,1700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Obsoleto | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | |||||||||||||||||
![]() | Sk115bhr5g | - | ![]() | 6242 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK115 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 3 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SBRD835LT4G-VF01 | 1.0000 | ![]() | 4781 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-SBRD835LT4G-VF01-488 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | V2pm6lhm3/h | 0,4400 | ![]() | 969 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | V2pm6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mv @ 2 a | 200 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 250pf @ 4V, 1MHz | |||||
SS25LHMHG | - | ![]() | 2822 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS25 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||
![]() | SS320 | 0,0720 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS320TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | S85yr | 15.4200 | ![]() | 129 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | S85Y | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,1 V @ 85 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 85a | - | ||||||
![]() | Rs3jhe3/9at | - | ![]() | 6507 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | RS3 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 2,5 A | 250 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 34pf @ 4V, 1MHz | ||||
SS13LHMTG | - | ![]() | 2614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS13 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||||
![]() | SF3005PTH | 2.0470 | ![]() | 7848 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF3005 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SF3005PTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 30a | 1,3 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Esh1gmhrsg | - | ![]() | 5566 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | Padrão | Micro SMA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-NESH1GMHRSGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 1 A | 25 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 3pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SS22AQ | 0,0640 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS22AQTR | Ear99 | 7.500 | ||||||||||||||||||
![]() | BYM13-50-E3/97 | 0,2617 | ![]() | 7621 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | BYM13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | S4PKHM3/86A | - | ![]() | 7009 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4p | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Gr1j | 0,2000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7.6pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MSRTA500100A | 101.4000 | ![]() | 6615 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRTA500100 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1000 v | 500A (DC) | 1,2 V @ 500 A | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | Jan1n5194ur/tr | 27.2400 | ![]() | 2972 | 0,00000000 | Microchip Technology | Sigma Bond ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA | - | 150-JAN1N5194UR/TR | 100 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 100 Ma | 25 Na @ 70 V | -55 ° C ~ 200 ° C. | 200Ma | - |
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