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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HN1D02FU,LF | 0,4400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN1D02 | padrão | EUA6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 2 pares de cátodo comum | 80 V | 100mA | 1,2 V a 100 mA | 4 ns | 500 nA a 80 V | 125°C (Máx.) | |||||
![]() | NRVHP8H200MFDT1G | - | ![]() | 2480 | 0,00000000 | onsemi | Automotivo, AEC-Q101, SWITCHMODE™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | NRVHP8 | padrão | 8-DFN (5x6) Sinalização Dupla (SO8FL-Dual) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 200 V | 4A | 910 mV a 8 A | 30 segundos | 500 nA @ 200 V | -55°C ~ 175°C | |||||
![]() | MD120C08D1 | 18.4710 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Módulo | padrão | D1 | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-MD120C08D1 | EAR99 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 800V | 120A | 1,35 V a 300 A | 6 mA a 800 V | -40°C ~ 150°C | |||||||
![]() | MBRTA50045 | - | ![]() | 3338 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 250A | 700 mV a 250 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | SF3005PTH | 2.0470 | ![]() | 7848 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SF3005 | padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-SF3005PTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 300V | 30A | 1,3 V a 15 A | 35 ns | 10 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | ||||
![]() | HS2B | 0,0460 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-HS2BTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | SBRT30A100CT | - | ![]() | 2045 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | TrincheiraSBR | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-220-3 | SBRT30 | Superbarreira | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SBRT30A100CTDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100 V | 15A | 800 mV a 15 A | 150 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||
![]() | GF1BHE3/67A | - | ![]() | 2014 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | SUPERECTIFICADOR® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-214BA | GF1 | padrão | DO-214BA (GF1) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 1A | - | ||||
![]() | MURS320B | 0,1840 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-MURS320BTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | S1K | 0,0317 | ![]() | 135 | 0,00000000 | Diotec Semicondutor | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | padrão | DO-214AC, SMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2796-S1KTR | 8541.10.0000 | 7.500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,1 V a 1 A | 1,5µs | 5 µA a 800 V | -50°C ~ 150°C | 1A | - | |||||
![]() | MDD56-18N1B | 30.8608 | ![]() | 5074 | 0,00000000 | IXYS | - | Caixa | Ativo | Montagem em chassi | PARA-240AA | MDD56 | padrão | PARA-240AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1800 V | 95A | 1,48 V a 200 A | 10 mA @ 1800 V | -40°C ~ 150°C | |||||
![]() | SS53Q | 0,1820 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-SS53QTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | SE100PWTGHM3/I | 1.0100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | padrão | SlimDPAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,14 V a 10 A | 2,6 µs | 20 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 2,7A | 78pF @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | GP60160B-BP | 1.3526 | ![]() | 6508 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | GP60160 | padrão | TO-247AD | download | 353-GP60160B-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1600 V | 1,3 V a 60 A | 5 µA a 1600 V | -55°C ~ 150°C | 60A | - | |||||||
| UG4A-M3/54 | 0,2307 | ![]() | 2154 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | UG4 | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 950 mV a 4 A | 30 segundos | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 4A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | V10PWM60-M3/I | 0,3036 | ![]() | 5355 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | Schottky | SlimDPAK | download | REACH não afetado | 112-V10PWM60-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 610 mV a 10 A | 400 µA a 60 V | -40°C ~ 175°C | 10A | 1580pF @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | UT4040 | 12.9600 | ![]() | 1632 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Através do furo | Axial | padrão | B | - | REACH não afetado | 150-UT4040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1 V @ 3 A | 5 µA a 400 V | -195°C ~ 175°C | 4A | - | |||||||
![]() | SS56C-HF | 0,2046 | ![]() | 5974 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | SS56 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 700 mV a 5 A | 1 mA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 400pF @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | CDBZC0140L-HF | 0,2800 | ![]() | 6152 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 0201 (métrica 0603) | CDBZC0140 | Schottky | 0201/DFN0603 | - | 1 (ilimitado) | 10.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 40 V | 800 mV a 100 mA | 20 µA a 40 V | -40°C ~ 125°C | 100mA | 4pF @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | PD100MYN18 | 54.3800 | ![]() | 2414 | 0,00000000 | KYOCERA AVX | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Módulo | padrão | Módulo | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1800 V | 100A | 1,35 V a 300 A | 5 mA @ 1800 V | -40°C ~ 150°C | |||||||
![]() | FR152S-AP | - | ![]() | 8491 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Fita e Caixa (TB) | Obsoleto | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | FR152 | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 1,5 A | 150 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1,5A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||||
| SD103AW | 0,0150 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-SD103AWTR | EAR99 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 350mA | 50pF @ 0V, 1MHz | |||||||
![]() | PMEG2010EA-QX | 0,0914 | ![]() | 2012 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | PMEG2010 | Schottky | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1727-PMEG2010EA-QXTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 550 mV por 1 A | 50 µA a 15 V | 125ºC | 1A | 19pF @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | V30K45-M3/I | 0,4538 | ![]() | 6752 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | eSMP®, TMBS® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | V30K45 | Schottky | FlatPAK (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 630 mV a 30 A | 2 mA a 45 V | -40°C ~ 150°C | 30A | 4000pF @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | CPR2-040TR | - | ![]() | 8535 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp. | - | Fita e Caixa (TB) | Última compra | RCP2 | - | REACH não afetado | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | FFPF20UA60DNT | - | ![]() | 5969 | 0,00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | FFPF20 | padrão | TO-220F-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600 V | 10A | 2,3 V a 10 A | 120ns | 100 µA a 600 V | -65°C ~ 150°C | |||||
![]() | MBRB2020CT-TP | 0,6848 | ![]() | 2594 | 0,00000000 | Micro Comercial | - | Volume | Última compra | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MBRB2020 | Schottky | D2PAK | download | 353-MBRB2020CT-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 20 V | 20A | 840 mV a 20 A | 100 µA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | BAS16D-E3-08 | 0,2600 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | BAS16 | padrão | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 75V | 1,25 V a 150 mA | 6 ns | 1 µA a 75 V | -55°C ~ 150°C | 250mA | 2pF a 0 V, 1 MHz | ||||
![]() | S2BF | - | ![]() | 7786 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | padrão | PME | - | REACH não afetado | 31-S2BF | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,15 V a 1,5 A | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1,5A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | RHRP15120 | 1.8600 | ![]() | 33 | 0,00000000 | onsemi | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | RHRP15 | padrão | TO-220-2L | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 3,2 V a 15 A | 75ns | 100 µA a 1200 V | -65°C ~ 175°C | 15A | - |

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