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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF1608GHC0G | - | ![]() | 1732 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF1608 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Cmz2361 tr | - | ![]() | 5150 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | Alcançar Não Afetado | 1514-CMZ2361TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 1,44 V @ 10 mA | 10 µA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10mA | - | |||||||
SV1580V_R1_00001 | 0,4071 | ![]() | 2463 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Sv158 | Schottky | To-277 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 40.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 720 mV @ 15 a | 100 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||||
![]() | GP60160B-BP | 1.3526 | ![]() | 6508 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | GP60160 | Padrão | TO-247AD | download | 353-GP60160B-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,3 V @ 60 A | 5 µA A 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | |||||||
![]() | STPST2H100ZFY | 0,3800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | STPST2 | Schottky | SOD-123F | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 805 mV @ 2 a | 2,7 µA a 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | |||||||
BAS40-05/DG/B2.235 | - | ![]() | 4062 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934062418235 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 40 v | 120mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | S310 | 0,0400 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-S310TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | Fr305t/r | 0,1400 | ![]() | 11 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR305T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | NTE6087 | 5.8500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6087 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 45 v | 15a | 620 mV @ 15 a | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | S1t | 0,0997 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC, SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-S1TTR | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1300 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 1300 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||
![]() | HRC0203B-NTRF-E | 0,1100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | |||||||||||||||||
![]() | SB820F_T0_00001 | 0,2430 | ![]() | 7595 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | SB820 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SB820F_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 8 a | 200 µA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | LL4148 | 0,1200 | ![]() | 323 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | LL414 | Padrão | SOD-80 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 25 Na @ 20 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | VS-74-7704 | - | ![]() | 7593 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 74-7704 | - | 112-VS-74-7704 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BAV70/LF1215 | 0,0200 | ![]() | 555 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bav70 | Padrão | SOT-23-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | M2 | 0,0140 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMAE) | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-m2tr | Ear99 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SS34 | 0,0650 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS34TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | MBRB735-E3/45 | - | ![]() | 9887 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB7 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 840 mV @ 15 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||||
![]() | Mur260 | 0,4500 | ![]() | 9879 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 2 A | 50 ns | 2,5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 24pf @ 4V, 1MHz | ||||||
Jantxv1n6661us/tr | - | ![]() | 5729 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N6661US/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - | |||||||
![]() | MUR405GP-AP | 0.1994 | ![]() | 3880 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Mur405 | Padrão | Do-201d | download | 353-MUR405GP-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 4 a | 45 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D20650CJQ | 3.4196 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-3PF | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 480 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 650 v | 20a | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | 175 ° C. | ||||||
![]() | VS-ETL3006S2LHM3 | 2.8700 | ![]() | 3833 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | ETL3006 | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 800 | ||||||||||||||||
G40H100CTW | 0,9400 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-G40H100CTW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 40A | 790 mV @ 20 A | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | CEFB102-G | - | ![]() | 1425 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | - | ||||||
![]() | F12K120 | 0,7038 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | P600, axial | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-F12K120TR | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 900 mV @ 12 A | 300 ns | 5 µA A 120 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 12a | - | ||||||
![]() | RL203-BP | 0,0660 | ![]() | 1173 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | RL203 | Padrão | DO-15 | download | 353-RL203-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | HER1604GH | 0,6155 | ![]() | 5728 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HER1604GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 16a | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Au3pmhm3_a/i | 0,6765 | ![]() | 3151 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Au3 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2,5 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.4a | 42pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-10BQ060HM3/5BT | 0,4800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 10BQ060 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 490 mV @ 1 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 5V, 1MHz |
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