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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
RB541VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-40TE-17 0,3500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB541 Schottky Umd2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 610 mV @ 100 Ma 100 µA A 40 V 125 ° C (Máximo) 200Ma -
VS-66-8059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-66-8059 -
RFQ
 ECAD 6739 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra 66-8059 - 112-VS-66-8059 1
P3D06004G2 PN Junction Semiconductor P3D06004G2 2.1000
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 ECAD 6325 0,00000000 Semicondutor de Junção PN P3d Tape & Reel (TR) Ativo TO-263-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-263-2 download ROHS3 Compatível ALCANCE AFETADO 4237-P3D06004G2TR 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 0 ns 20 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 14a
VSS8D2M15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vss8d2m15hm3/h 0,4500
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads S8D2 Schottky Slimsmaw (DO-221AD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 700 mv @ 1 a 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C. 1.8a 150pf @ 4V, 1MHz
S3GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3ghe3_a/i 0,4800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S3G Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,15 V @ 2,5 A 2,5 µs 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
20TQ035 SMC Diode Solutions 20TQ035 1.0000
RFQ
 ECAD 122 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 20tq Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 570 mV @ 20 A 2,7 mA a 35 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 1400pf @ 5V, 1MHz
V40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40M120C-M3/4W 1.2106
RFQ
 ECAD 5524 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 V40M120 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 20a 890 mV @ 20 A 500 µA A 120 V -40 ° C ~ 175 ° C.
LS101A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS101A-GS18 0.0611
RFQ
 ECAD 4879 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Variante SOD-80 LS101 Schottky Sod-80 Quadromell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 60 v 1 V @ 15 mA 200 Na @ 50 V 125 ° C (Máximo) 30Ma 2pf @ 0V, 1MHz
GP10GEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GEHE3/53 -
RFQ
 ECAD 8378 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Gp10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 3 µs 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
EP01CV0 Sanken EP01CV0 -
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 ECAD 4623 0,00000000 Sanken - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Axial EP01 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) EP01CV0 DK Ear99 8541.10.0070 1.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1000 v 4 V @ 200 mA 200 ns 5 µA A 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C. 200Ma -
1N5399G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G A0G -
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 ECAD 1322 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5399 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 1,5 A 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
VS-10WQ045FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10WQ045FNTL-M3 0,4712
RFQ
 ECAD 8332 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 10WQ045 Schottky D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs10wq045fntlm3 Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 10 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a 760pf @ 5V, 1MHz
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0,1328
RFQ
 ECAD 2068 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S5m Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 5 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4V, 1MHz
BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-1000-E3/97 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) BYM10 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 1 A 10 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
1N5553US Microchip Technology 1N5553US 11.1900
RFQ
 ECAD 2143 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, b 1N5553 Padrão B, Sq-Melf download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 9 A 2 µs 1 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
BAT54LT1 onsemi BAT54LT1 -
RFQ
 ECAD 1517 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 (TO-236) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
SS19L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L MTG -
RFQ
 ECAD 7261 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS19 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BAT54A-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54A-G3-18 0,0501
RFQ
 ECAD 9930 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 30 v 200Ma (DC) 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C (Máximo)
1N914BTR onsemi 1n914btr 0,1000
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1n914b Padrão DO-35 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 4pf @ 0V, 1MHz
SRA505-TP Micro Commercial Co SRA505-TP -
RFQ
 ECAD 4312 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SRA SRA505 Padrão SRA - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 50 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 50a 100pf @ 4V, 1MHz
SS16F-HF Comchip Technology SS16F-HF 0,0408
RFQ
 ECAD 7732 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SS16 Schottky SMAF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 300 µA A 60 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
MBR30150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30150PT 1.8014
RFQ
 ECAD 9167 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR30150 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 30a 1,02 V @ 30 A 500 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SBR8050 Microchip Technology SBR8050 131.4300
RFQ
 ECAD 7579 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud SBR8050 Schottky download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SBR8050-NDR Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 740 mV @ 80 A 2 mA a 50 V 80a -
SCFS12000 Semtech Corporation SCFS12000 -
RFQ
 ECAD 9034 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Axial Padrão - download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 12000 v 23,4 V @ 3 A 150 ns 5 µA A 12000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a -
1N2066 Solid State Inc. 1N2066 21.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão Do-9 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N2066 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 300 A 75 µA A 800 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a -
HTZ170C2.8K IXYS HTZ170C2.8K -
RFQ
 ECAD 6977 0,00000000 Ixys HTZ170C CAIXA Ativo Montagem do chassi Módlo HTZ170 Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 2800 v 10a 1,9 V @ 40 A 500 µA @ 2800 V
MBR10100CS2TR-G1 Diodes Incorporated MBR10100CS2TR-G1 -
RFQ
 ECAD 4075 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBR1010 Schottky TO-263-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 5a 850 mv @ 5 a 100 µA A 100 V 150 ° C (Máximo)
SL12HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sl12he3_b/i 0,3700
RFQ
 ECAD 4352 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SL12 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 445 mV @ 1 a 200 µA a 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1.5a -
G5S06504HT Global Power Technology-GPT G5S06504HT 3.6600
RFQ
 ECAD 3453 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 4 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9.7a 181pf @ 0V, 1MHz
SF56 Yangjie Technology SF56 0.1120
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita E CAIXA (TB) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-SF56TB Ear99 1.250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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    15.000 m2

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