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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Srs1660hmng | - | ![]() | 6180 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRS1660 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 16a | 700 mv @ 8 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | BAS4007E6327HTSA1 | 0,5500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | Bas4007 | Schottky | PG-SOT-143-3D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 40 v | 120mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 100 ps | 1 µA a 30 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | S3650 | 61.1550 | ![]() | 7105 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S3650 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-20CTQ035STRLPBF | - | ![]() | 2354 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20CTQ035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 20a | 760 mV @ 20 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | STTH8R04DI | 2.0800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-220-2 ISOLADO, TO-220AC | STTH8R04 | Padrão | TO-220AC INS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | SR1204HA0G | - | ![]() | 8944 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR1204 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 12 A | 500 µA A 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||
![]() | BAT54S-TP | 0,2000 | ![]() | 133 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 30 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||
![]() | HFA15TB60STRL | - | ![]() | 6496 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA15 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||
![]() | 1N5617C.Tr | - | ![]() | 6483 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | Axial | 1N5617 | Padrão | Axial | - | Não Aplicável | 1N5617C.CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1 A | 150 ns | 500 Na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 27pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | VS-42CTQ030STRlhm3 | 1.4649 | ![]() | 6903 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 42CTQ030 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 20a | 480 mV @ 20 A | 3 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VS-10CTQ150SPBF | - | ![]() | 5893 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10CTQ150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS-10CTQ150SPBFGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
STTH30L06W | 3.4000 | ![]() | 686 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Do-247-2 (leads retos) | STTH30 | Padrão | Do-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-4411-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,55 V @ 30 A | 90 ns | 25 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 30a | - | ||||
BYG20J R3G | - | ![]() | 5898 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG20 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 1,5 A | 75 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||||
![]() | VSKDL240-06S10 | - | ![]() | 2807 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskdl240 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 600 v | 250a | 1,57 V @ 800 A | 1 µs | 50 mA a 600 V | |||||
Sk29ahr3g | - | ![]() | 7558 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK29 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||
![]() | BY880-800 | 1.6530 | ![]() | 2003 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-by880-800tr | 8541.10.0000 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 8 A | 1,5 µs | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | CBAT54A TR PBFREE | 0,4500 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CBAT54 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 30 v | 200Ma | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | 1n4723/tr | 40.2601 | ![]() | 3655 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | 1N4723 | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N4723/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 3 A | 25 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | V2pm12hm3/h | 0,3500 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | V2pm12 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 980 mV @ 2 A | 50 µA A 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | Jantx1N1202ar | 72.3750 | ![]() | 1191 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1202 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 38 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||
![]() | Jantx1n5811urs/tr | 20.4300 | ![]() | 2242 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | B, Sq-Melf | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N5811urs/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | ||||||
![]() | MBRB25H45CTHE3_B/P. | 1.0230 | ![]() | 2943 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB25 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 15a | 640 mV @ 15 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | MBR1550CTHC0G | - | ![]() | 5276 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR1550 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 15a | 750 mV @ 7.5 A | 300 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | S70D | 9.8985 | ![]() | 1398 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S70DGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 70 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | ||||||
![]() | MUR415G | 0,6100 | ![]() | 5196 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Mur415 | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 890 mV @ 4 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | ||||
![]() | MBR30H60CTH | 0,7100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Obsoleto | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
GSD2004A-E3-08 | 0,2800 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | GSD2004 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 240 v | 225mA | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 240 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | Jan1n5417/tr | 6.7800 | ![]() | 9835 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N5417/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | AU02ZV0 | - | ![]() | 1791 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Axial | AU02 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | AU02ZV0 DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 800 mA | 400 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | - | ||||
Jantx1N5416us | 11.5500 | ![]() | 2680 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | 1N5416 | Padrão | D-5b | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - |
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