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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-SD1553C25S20K | 340.6400 | ![]() | 7871 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Prenda | DO-200AC, K-Puk | SD1553 | Padrão | DO-200AC, K-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSSD1553C25S20K | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2500 v | 2,23 V @ 4000 A | 2 µs | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1825a | - | ||||
![]() | RB095BM-90TL | 0,7320 | ![]() | 8756 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RB095 | Schottky | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 3a | 750 mv @ 3 a | 150 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | SS2P5-M3/85A | 0.1130 | ![]() | 5378 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SS2P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 100 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | Jantx1n6910utk2/tr | 451.8750 | ![]() | 5979 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 2 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N6910UTK2/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 15 v | 520 mV @ 25 A | 1,2 mA a 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 2000pf @ 5V, 1MHz | ||||||
![]() | BAV23C | 0,1300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | BAV23X | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 250 v | 225mA | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 250 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MUR180-AP | - | ![]() | 4510 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR180 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,75 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | VGF0136AH | - | ![]() | 8067 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | VGF0136 | Fase Única (Frenagem) | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1400 v | 1.5a | - | ||||||||
![]() | 1N4946GP-E3/54 | 0,5000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4946 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | ER3K-TPS01 | 0,1734 | ![]() | 2956 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ER3K | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | 353-ER3K-TPS01 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MBRF2045 | - | ![]() | 8446 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF2045 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 750 mV @ 20 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||
![]() | MBR60045CTRL | - | ![]() | 5064 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 45 v | 300A | 600 mV @ 300 A | 5 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | SBT150-06J | - | ![]() | 7659 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | SBT150 | Schottky | TO-220ML | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 580 mV @ 6 a | 200 µA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | S4PDHM3/87A | - | ![]() | 7544 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4p | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | CLH05, LmbJq (o | - | ![]() | 5120 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | L-FLAT ™ | CLH05 | Padrão | L-Flat ™ (4x5.5) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||
![]() | V3P6-M3/84A | 0,4400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | V3p6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mV @ 3 a | 900 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.4a | 250pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SS1FH10-M3/H. | 0,4600 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS1FH10 | Schottky | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SCPAR10 | - | ![]() | 7287 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Módlo | SCPAR1 | Padrão | - | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | - | 1000 v | 22.5a | 1 V @ 9 A | 2 µs | 3 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SFF504GH | 0,5900 | ![]() | 1989 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF504 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF504GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | SS14HE3/61T | - | ![]() | 7151 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | MBRF20H90CT-E3/45 | - | ![]() | 6437 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF20 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a | 770 mV @ 10 a | 4,5 µA A 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | Vs-mbrb745trrpbf | - | ![]() | 7889 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB7 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRB745TRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 570 mV @ 7.5 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | ||||
![]() | SBR30E100CT | - | ![]() | 8840 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Sbr | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | SBR30 | Super Barreira | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 800 mV @ 15 A | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | MBR1090CT-E3/4W | 0,6389 | ![]() | 9494 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR109 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 5a | 850 mv @ 5 a | 100 µA A 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | UFT20120 | - | ![]() | 6749 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do parafuso | Módlo | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 100a | 1,25 V @ 100 A | 70 ns | 50 µA A 200 V | |||||||
![]() | 1N4004GPE-M3/73 | - | ![]() | 5484 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4004 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | VS-25F80M | 11.4300 | ![]() | 9211 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 25F80 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 78 A | -65 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | ||||||
![]() | 1N2287 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2287 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||||
![]() | QRT812D_R2_00001 | - | ![]() | 1705 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | QRT812 | Padrão | To-263 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,2 V @ 8 A | 45 ns | 3 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | 1N1127 | 38.3850 | ![]() | 3156 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1127 | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | ||||||
![]() | V4pan50-m3/i | 0,5700 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD | V4pan50 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 430 mV @ 2 a | 600 µA A 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 480pf @ 4V, 1MHz |
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