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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB058LB100TBR1 | 0,8600 | ![]() | 3656 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | RB058 | Schottky | SMBP | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 3 a | 1,5 µA A 100 V | 175 ° C. | 3a | - | ||||||
![]() | ES1D | 0,3700 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1 | Padrão | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | ST30100C | 1.4100 | ![]() | 995 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | ST30100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | - | 750 mv @ 15 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | RB521S30,115 | 0,2400 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB521S30 | Schottky | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 25pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | VS-16CTQ100-1PBF | - | ![]() | 9865 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 16CTQ100 | Schottky | TO-262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 8a | 720 mv @ 8 a | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | 1N4937E-E3/53 | - | ![]() | 6373 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 600 V | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | BAT82S-TAP | 0,0429 | ![]() | 1610 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BAT82 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 50.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 1.6pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | SS26HE3-LTP | 0,4000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS26 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 90pf @ 4V, 1MHz | |||||
STTH1R06RL | 0,4900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | STTH1 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 45 ns | 1 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 1a | - | |||||
![]() | Fr207 | 0,0350 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-FR207TB | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MNS1N6640US | 12.3600 | ![]() | 4499 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/609 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, d | Padrão | D-5D | - | Alcançar Não Afetado | 150-MNS1N6640US | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | - | ||||||
1N8035-GA | - | ![]() | 8792 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-276AA | 1N8035 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-276 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,5 V @ 15 A | 0 ns | 5 µA A 650 V | -55 ° C ~ 250 ° C. | 14.6a | 1107pf @ 1V, 1MHz | ||||||
G10H150CTFW | - | ![]() | 7622 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Schottky | ITO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-G10H150CTFW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 790 mV @ 5 A | 8 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | HFA16TA60C | - | ![]() | 4531 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | HFA16 | Padrão | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 8a (DC) | 1,7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | BAT5404WH6327XTSA1 | 0,5000 | ![]() | 88 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT5404 | Schottky | PG-SOT323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 30 v | 200Ma (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
Rs1jlhrvg | - | ![]() | 5836 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1j | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | BYT60P-1000 | - | ![]() | 8377 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | SOD-93-2 | BYT60 | Padrão | SOD-93 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1000 v | 60a | 1,9 V @ 60 A | 170 ns | 100 µA A 1000 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | SK14_R1_00001 | 0,3900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK14 | Schottky | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SK14_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA a 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | R7S01416XX | - | ![]() | 2372 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | R7S01416 | Padrão | Puck de Hóquei | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 7 µs | 50 mA A 1400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 2020A | - | |||||||
![]() | SK24_R1_00001 | 0,4200 | ![]() | 701 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK24 | Schottky | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 90 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | 1n5818rl | - | ![]() | 5714 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5818 | Schottky | Axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SS33 | 0,0650 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS33TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4937G R1G | - | ![]() | 2700 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Rs3ah | - | ![]() | 7922 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-rs3ahtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||
JANS1N3595A-1 | - | ![]() | 6812 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | 2 Na @ 125 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150mA | - | ||||||
![]() | S5d r6g | - | ![]() | 3545 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S5DR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | ES3C R6 | - | ![]() | 6958 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3CR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-15CTQ035STRL-M3 | 0,6730 | ![]() | 3350 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 15ctq035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 7.5a | 550 mV @ 7,5 A | 800 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VS-30CPQ150-N3 | 3.2200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | 30cpq150 | Schottky | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 1,19 V @ 30 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | C3D16060D | 8.8500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-REC® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | C3D16060 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 600 v | 8a (DC) | 1,8 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. |
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