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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RL1N1200F | 0,0380 | ![]() | 9354 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | A-405 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RL1N1200FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,8 V @ 500 mA | 300 ns | 5 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | 1N6820 | 259.3500 | ![]() | 1571 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 4 | Schottky | Thinkey ™ 4 | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N6820 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 920 mV @ 75 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 75a | - | |||||||
![]() | VS-12CWQ06FNPBF | - | ![]() | 7776 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 12CWQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 6a | 610 mV @ 6 a | 3 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | DSF10TB-AT1 | - | ![]() | 9477 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | DSF10 | Padrão | - | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 10 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | - | ||||||
SK25A M2G | - | ![]() | 2847 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK25 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||
![]() | MBR760HC0G | - | ![]() | 1304 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | MBR760 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 7.5 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||||
![]() | R6201250XXOO | - | ![]() | 5102 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | R6201250 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,4 V @ 800 A | 11 µs | 50 mA A 1200 V | 500A | - | ||||||
Rs1AlHrhg | - | ![]() | 7059 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1a | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | R6100825XXYZ | - | ![]() | 9286 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 7 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,5 V @ 800 A | 11 µs | 50 mA a 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 250a | - | |||||||
![]() | PX1500K-CT | 2.2243 | ![]() | 4860 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Através do buraco | P600, axial | PX1500 | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-PX1500K-CT | 8541.10.0000 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 15 A | 1,5 µs | 10 µA a 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | ||||
![]() | ZW7100-04 | 44.0000 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200ab, B-Puk | Padrão | - | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ZW7100-04 | Ear99 | 16 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,05 V @ 5000 A | 15 mA a 400 V | -40 ° C ~ 170 ° C. | 7100A | - | |||||||
MBR1035 | - | ![]() | 1708 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR103 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBR1035DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 840 mV @ 10 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 400pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SFF503G C0G | - | ![]() | 5884 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF503 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | ACDSW21-HF | 0,0386 | ![]() | 6451 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-ACDSW21-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 200 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||
1N4006G BK | - | ![]() | 2894 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | ||||||||||||||||
![]() | B130B-13 | - | ![]() | 2462 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | B130 | Schottky | SMB | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | DPG120C300QB | 10.3300 | ![]() | 7447 | 0,00000000 | Ixys | Hiperfred² ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | DPG120 | Padrão | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 60a | 1,4 V @ 60 A | 35 ns | 1 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | AG01V | - | ![]() | 2120 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | AG01 | Padrão | Axial | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | AG01V DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,8 V @ 700 mA | 100 ns | 100 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | - | ||||
BAV199-QR | 0,2400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV199 | Padrão | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 75 v | 140mA | 1,1 V @ 50 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C. | |||||
![]() | VS-90APS12L-M3 | 3.7900 | ![]() | 310 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | 90APS12 | Padrão | TO-247AD | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,2 V @ 90 A | 100 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 90A | - | ||||||
![]() | 1N4588 | 35.5695 | ![]() | 3219 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N4588 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N4588GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,5 V @ 150 A | 9,5 mA a 200 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||
![]() | Db4x501k0r | - | ![]() | 3478 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SC-61AB | DB4X501 | Schottky | Mini4-G4-B | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 50 v | 200Ma | 550 mV a 200 mA | 1.6 ns | 200 µA a 50 V | 125 ° C (Máximo) | |||||
![]() | VS-10CTQ150STRLPBF | - | ![]() | 2809 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10CTQ150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 1,1 V @ 10 A | 50 µA A 150 V | 175 ° C (max) | |||||
![]() | S5A_R1_00001 | 0,1404 | ![]() | 5893 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5a | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 5 A | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | Vs-vskd320-08 | - | ![]() | 2008 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskd320 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 320a | ||||||||
![]() | BAV199W_R1_00001 | 0,1600 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAV199 | Padrão | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-BAV199W_R1_00001TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 75 v | 200Ma (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | RS1JB-13-G | - | ![]() | 6124 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | RS1JB-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | RB751SM-40T2R | 0,3300 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB751 | Schottky | SC-79 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 370 mV @ 1 Ma | 500 Na @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 30Ma | 2pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | RL202G | - | ![]() | 1309 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | RL202 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 2 A | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | VF20120SG-M3/4W | 0,5224 | ![]() | 8369 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | VF20120 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,33 V @ 20 A | 250 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - |
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