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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSCD120-12 | - | ![]() | 1036 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D1 | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 120a | 1,43 V @ 300 A | 6 mA a 1200 V | ||||||
![]() | MBR2030CT-G | 0.6088 | ![]() | 1516 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR2030 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 20a | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR3050PTHC0G | - | ![]() | 3638 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR3050 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 30a | 1 mA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Set040104 | - | ![]() | 1463 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Montagem do chassi | Módlo | Set04 | - | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | - | 400 v | 15a | 1,5 V @ 18 A | 150 ns | 2 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | ER1002FCT_T0_00001 | 0,7300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | ER1002 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 3757-ER1002FCT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 950 mV @ 5 A | 35 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |
MSKD200-16 | - | ![]() | 4738 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Montagem do chassi | D2 | Padrão | SD2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1600 v | 200a | 1,3 V @ 300 A | 9 MA A 1600 V | |||||||
![]() | MSRTA30080AD | 113.5544 | ![]() | 3891 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRTA300 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 300A | 1,1 V @ 300 A | 20 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MSCDC150KK170D1PAG | 365.1600 | ![]() | 8220 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | MSCDC150 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D1p | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCDC150KK170D1PAG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1700 v | 150a | 1,8 V @ 150 A | 0 ns | 600 µA @ 1700 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | V10d202c-m3/i | 0,9270 | ![]() | 2257 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V10D202 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 5a | 900 mV @ 5 A | 50 µA A 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBRF30H50CT-E3/45 | - | ![]() | 6947 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF30 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 15a | 680 mV @ 15 A | 60 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | UGF1606GH | 0,6437 | ![]() | 1080 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1606 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF1606GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 16a | 1,25 V @ 8 a | 25 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MD200A16D2-BP | 64.3400 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D2 | MD200 | Padrão | D2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | MD200A16D2-BPMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 80 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1600 v | 200a | 1,3 V @ 300 A | 9 MA A 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | VS-MBR2045CT-M3 | 1.4000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR2045 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
208CNQ060 | - | ![]() | 5837 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | 208CNQ | Schottky | TO-244AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *208CNQ060 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 100a | 680 mV @ 100 A | 1,1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Db3x314j0l | - | ![]() | 7223 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Db3x314 | Schottky | Mini3-G3-B | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 30 v | 30MA (DC) | 1 V @ 30 Ma | 1 ns | 300 Na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | |||
![]() | FFB20UP30DNTM | - | ![]() | 3936 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FFB20UP30 | Padrão | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a | 1,3 V @ 10 A | 45 ns | 1 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | AS3D030120P2 | 9.2100 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Anbon Semiconductor (Int'l) Limited | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | AS3D03012 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 4530-AS3D030120P2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 42a | 1,8 V @ 15 A | 0 ns | 20 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | SBT3035 | 62.1000 | ![]() | 7111 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | SBT30 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-SBT3035 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 35 v | 30a | 700 mV @ 30 A | 1,5 mA a 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | VI10150C-M3/4W | 0,5587 | ![]() | 9145 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI10150 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | IRKD56/06A | - | ![]() | 6408 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | IRKD56 | Padrão | Add-a-Pak® | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 600 v | 60a | 10 mA a 600 V | |||||
![]() | CPT60145 | - | ![]() | 8283 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | MD3CC | Schottky | Torre Dupla | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 300A | 550 mV @ 300 A | 21 mA @ 45 V | ||||||
![]() | VBT2080C-M3/4W | 0.8057 | ![]() | 9511 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT2080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 10a | 810 mV @ 10 A | 600 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Vs-vskd320-12pbf | 201.1700 | ![]() | 4504 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskd320 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskd32012pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 160a | 50 mA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR1680CT_T0_00001 | 0,3537 | ![]() | 2203 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR1680 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR1680CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 16a | 800 mv @ 8 a | 50 µA A 80 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | UF2004FCT_T0_00001 | 0,7300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | UF2002FCT | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | UF2004 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-UF2004FCT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 20a | 1,3 V @ 10 A | 50 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |
NTSB30U100CT-1G | - | ![]() | 5115 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | NTSB30 | Schottky | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 800 mV @ 15 A | 675 µA A 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBR2045CT | 0,8100 | ![]() | 9342 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 600 mV @ 10 A | 200 Na @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SCPAS15FF | - | ![]() | 1184 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Módlo | SCPAS15 | Padrão | - | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | - | 150 v | 42.5a | 970 mV @ 30 A | 30 ns | 60 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | UGE18DCT-E3/45 | - | ![]() | 2838 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | Uge18 | Padrão | To-220-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 18a | 1,2 V @ 20 A | 30 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | V15k60chm3/i | 0,4973 | ![]() | 7483 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-V15K60CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 5a | 590 mV @ 7.5 A | 1,1 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. |
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