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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | V30dm153chm3/i | 1.9300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 960 mV @ 15 A | 100 µA A 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | BAT54A/DG/B3215 | 0,0200 | ![]() | 45 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, BAT54 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 30 v | 200Ma (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA a 25 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | CDBT-54A-G | 0,0621 | ![]() | 2115 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CDBT-54 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 30 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA a 25 V | 125 ° C (Máximo) | ||
![]() | GSXD160A012S1-D3 | - | ![]() | 3259 | 0,00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GSXD160 | Schottky | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 120 v | 160a | 880 mV @ 160 A | 3 ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | BAV99W/MI135 | - | ![]() | 4781 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bav99 | Padrão | SOT-323 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 100 v | 150mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | UFT5020A | 94.8750 | ![]() | 2362 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | Padrão | TO-204AA (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-UUuft5020a | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 50a | 1 V @ 25 A | 35 ns | 15 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | APT2X20DC120J | - | ![]() | 7808 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Apt2x20 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | SOT-227 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 2 Independente | 1200 v | 20a | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | BAS12507WH6327XTSA1 | 0,8700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-82A, SOT-343 | BAS12507 | Schottky | PG-SOT343-4-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 25 v | 100mA (DC) | 950 mV @ 35 mA | 150 Na @ 25 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | MURB1620CT-TF | - | ![]() | 1317 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MURB1620CT | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 30 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | NRVHP820MFDT3G | 0,6870 | ![]() | 6405 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101, SwitchMode ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | NRVHP820 | Padrão | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 4a | 1,05 V @ 8 A | 30 ns | 500 Na @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | Rb715wmfhtl | 0,3500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-89, SOT-490 | RB715 | Schottky | EMD3F | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 30Ma | 370 mV @ 1 Ma | 1 µA A 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||
![]() | SBR30A40CT-G-23 | - | ![]() | 2359 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Volume | Última Vez compra | Através do buraco | To-220-3 | Super Barreira | To-220-3 | - | 31-SBR30A40CT-G-23 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 30a | 500 mV @ 15 A | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | SR1660 | - | ![]() | 4761 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | SR1660 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 16a | 700 mv @ 8 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-HFA16TA60CSTRLP | - | ![]() | 4654 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 8a | 1,7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | UGF1006GHC0G | - | ![]() | 9218 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | DSEI2X121-02A | 35.4300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Dsei2x121 | Padrão | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 123a | 1,1 V @ 120 A | 50 ns | 1 ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||
SBR0330CW-7 | 0,4800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | SBR0330 | Super Barreira | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 30 v | 150mA | 580 mV a 200 mA | 5 µA A 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
BAV170-7-F | 0,2800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV170 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 85 v | 125mA (DC) | 1,1 V @ 50 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | ST20100CE | 0,6700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | ST20100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | -1765-ST20100CE | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | VS-8CWH02FNTR-M3 | 0,9400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8CWH02 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 4a | 950 mV @ 4 a | 27 ns | 4 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBRT20045 | 98.8155 | ![]() | 8973 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT20045GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 100a | 750 mV @ 100 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | VS-HFA70FA120 | 53.7410 | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | HFA70 | Padrão | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSHFA70FA120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 160 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1200 v | 70A | 3,8 V @ 60 A | 51 ns | 75 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |
![]() | MBR645FCT_T0_00001 | 0,7695 | ![]() | 8224 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MBR645 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR645FCT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 6a | 700 mv @ 3 a | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBRB15H60CT-E3/81 | - | ![]() | 1945 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB15 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 7.5a | 730 mV @ 7.5 A | 50 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | APTDF400KK100G | 133.4200 | ![]() | 8874 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | LP4 | APTDF400 | Padrão | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1000 v | 500A | 2,7 V @ 400 A | 290 ns | 250 µA @ 1000 V | |||
![]() | MUR1060CT-BP | 0,4650 | ![]() | 6947 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MUR1060 | Padrão | TO-220AB | download | 353-MUR1060CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a | 1,7 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | FEP30AP-E3/45 | 1.6062 | ![]() | 8489 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | FEP30 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 15a | 950 mV @ 15 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | RBQ30NS100ATL | 3.1200 | ![]() | 965 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | RBQ30 | Schottky | To-263s | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 770 mV @ 15 A | 200 µA a 100 V | 150 ° C. | |||
![]() | MBRTA600150 | - | ![]() | 6296 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 300A | 880 mV @ 300 A | 4 mA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | STPS30L60CW | 2.4300 | ![]() | 7823 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | STPS30L60 | Schottky | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 600 mV @ 15 A | 480 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) |
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