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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UF2000CT_T0_00001 | 0,2835 | ![]() | 9383 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | UF2000 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-UF2000CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 20a | 1 V @ 10 A | 50 ns | 1 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |
![]() | STF2050C | 0,9800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | STF2050 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | - | 550 mV @ 10 A | 1,5 mA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-20CTQ035STRL-M3 | 0,9298 | ![]() | 4624 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20CTQ035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 10a | 640 mV @ 10 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MUR1620CT | - | ![]() | 1143 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MUR1620 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBRB1535CT | - | ![]() | 9832 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB15 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 7.5a | 570 mV @ 7.5 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR2060CT | - | ![]() | 1971 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR2060CT | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 950 mV @ 20 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRB1545CT | - | ![]() | 9063 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB15 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 7.5a | 840 mV @ 7.5 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-6CWQ03FNPBF | - | ![]() | 7734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 6CWQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 3.5a | 350 mv @ 3 a | 2 mA a 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | STB60100C | 1.5600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STB60100 | Schottky | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | - | 900 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR40200CT | 1.6100 | ![]() | 7623 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR40200 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-1072 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | - | 900 mV @ 20 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | GB10SLT12-247D | - | ![]() | 6041 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | - | 1 (ilimito) | 1242-1315 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 12a | 1,9 V @ 5 A | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | VS-16CTQ080STRRPBF | - | ![]() | 9769 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 16CTQ080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS16CTQ080STRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 8a | 880 mV @ 16 a | 550 µA A 80 V | 175 ° C (max) | ||
![]() | MDD142-14N1 | 54.6267 | ![]() | 2450 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Y4-M6 | MDD142 | Padrão | Y4-M6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1400 v | 165a | 1,3 V @ 300 A | 20 mA A 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SBA0520SA-AU_R1_000A1 | 0,0606 | ![]() | 1853 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SBA0520 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.202.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 20 v | 500mA | 480 mV @ 500 mA | 100 µA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | GSXD100A012S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 3107 | 0,00000000 | Semiq | - | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GSXD100 | Schottky | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 120 v | 100a | 880 mV @ 100 A | 3 ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Sbl1640cthe3/45 | - | ![]() | 2643 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | SBL1640 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 8a | 550 mV @ 8 a | 500 µA A 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | QRC0610T30 | - | ![]() | 4400 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 33a | 2,8 V @ 100 A | 110 ns | 1 mA a 600 V | ||||
![]() | Vs-MBRD650CTTRLPBF | - | ![]() | 3960 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD6 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µA a 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | V20d170c-m3/i | 1.7300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 170 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 150 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | BAT54ST-7 | - | ![]() | 6126 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SOT-523 | BAT54 | Schottky | SOT-523 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 30 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||
![]() | 10CTQ150 | - | ![]() | 2896 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | 10ctq | Schottky | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 930 mV @ 5 A | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | SF2001PTH | - | ![]() | 3380 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF2001 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SF2001PTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 20A (DC) | 1,1 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |
![]() | S4KW8C-4N | - | ![]() | 7000 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | S4KW8 | - | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | - | 8000 v | 12a | 8 V @ 12 A | 2 µs | 4 µA a 8000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | CPT30040A | - | ![]() | 9486 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 40 v | 150a | 760 mV @ 200 a | 4 ma 40 V | ||||||
![]() | G5S12020BM | 21.7500 | ![]() | 2082 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-247AB | download | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 33a (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 30 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | DD175N32KHPSA1 | 292.7233 | ![]() | 4595 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DD175N32 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 3200 v | 223a | 2,05 V @ 600 A | 20 mA a 3200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRF40020 | - | ![]() | 2932 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 200a | 700 mv @ 200 a | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | G3S17020B | 48.6200 | ![]() | 1387 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1700 v | 24a (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | G3S06512B | 6.6700 | ![]() | 9433 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 650 v | 27a (DC) | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | 20CTQ035STRR | - | ![]() | 5996 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ctq | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 10a | 640 mV @ 10 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. |
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