SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
SBR20U40CT-G Diodes Incorporated SBR20U40CT-G 1.7100
RFQ
ECAD 9779 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SBR20 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 10a 470 mV @ 10 A 500 µA A 40 V -65 ° C ~ 150 ° C.
V15K120C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K120C-M3/H. 0,4519
RFQ
ECAD 1298 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-PowerTdfn Schottky Flatpak (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-V15K120C-M3/HTR Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 3.8a 810 mV @ 7.5 A 800 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MSCD70-16 Microsemi Corporation MSCD70-16 -
RFQ
ECAD 3490 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Montagem do chassi D1 Padrão D1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 70A 1,48 V @ 200 A 5 MA A 1600 V
SBR30A100CTFP-JT Diodes Incorporated SBR30A100CTFP-JT -
RFQ
ECAD 6191 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SBR30 Super Barreira ITO-220AB download 1 (ilimito) 31-SBR30A100CTFP-JT Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 800 mV @ 15 A 100 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
JANTXV1N6673 Microchip Technology Jantxv1N6673 -
RFQ
ECAD 6545 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/617 Volume Ativo Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) 1N6673 Padrão TO-254AA - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v 15a 1,55 V @ 20 A 35 ns 50 µA A 320 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MBRB10100CT SMC Diode Solutions MBRB10100CT 0,7200
RFQ
ECAD 148 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB10100 Schottky D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v - 850 mv @ 5 a 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
V6PW12C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6pw12c-m3/i 0,2949
RFQ
ECAD 6508 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Schottky Slimdpak download Alcançar Não Afetado 112-V6PW12C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 3a 800 mv @ 3 a 100 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
IDW30C65D1XKSA1 Infineon Technologies IDW30C65D1XKSA1 3.2900
RFQ
ECAD 1425 0,00000000 Tecnologias Infineon Rapid 1 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 IDW30C65 Padrão PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 650 v 15a 1,7 V @ 15 A 71 ns 40 µA A 650 V -40 ° C ~ 175 ° C.
G20H150CTFW Diodes Incorporated G20H150CTFW -
RFQ
ECAD 2945 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada Schottky ITO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-G20H150CTFW Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 820 mV @ 10 A 8 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MMBD7000-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD7000-E3-08 0,2600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD7000 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 100 v 200Ma (DC) 1,1 V @ 100 Ma 4 ns 3 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GSD2004S-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSD2004S-E3-18 0,2800
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 GSD2004 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 240 v 225mA 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 Na @ 240 V 150 ° C (Máximo)
SDUR2030CT SMC Diode Solutions SDUR2030CT 0,9300
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SDUR2030 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 1655-1179 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 300 v - 1,3 V @ 10 A 45 ns 30 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S8-4150/TR13 Microchip Technology S8-4150/TR13 3.3600
RFQ
ECAD 4565 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) S8-4150 Padrão 8-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 4 Independente 50 v 400mA (DC) 1 V @ 200 mA 4 ns 100 Na @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
IRKD71/04A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD71/04A -
RFQ
ECAD 7612 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi Add-a-pak (3) IRKD71 Padrão Add-a-Pak® download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 400 v 80a 10 mA a 400 V
VFT2080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT2080C-M3/4W 0,7095
RFQ
ECAD 5582 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada VFT2080 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 10a 810 mV @ 10 A 600 µA A 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SBR20A200CT Diodes Incorporated SBR20A200CT 1.1600
RFQ
ECAD 457 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SBR20 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO SBR20A200CTDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 860 mV @ 10 A 30 ns 100 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
V20M120M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20M120M-E3/4W 0,5145
RFQ
ECAD 8393 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 V20M120 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 10a 1,01 V @ 10 A 500 µA A 120 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VS-20CTQ040-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040-M3 0,8135
RFQ
ECAD 7109 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 20ctq040 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 20a 760 mV @ 20 A 2 mA a 40 V -55 ° C ~ 175 ° C.
30CTQ045-1 SMC Diode Solutions 30CTQ045-1 0,6195
RFQ
ECAD 3242 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA 30ctq Schottky To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 30CTQ045-1SMC Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 620 mV @ 15 a 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBRF20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20200CT-Y 1.0200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF20200 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF20200CT-Y Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 850 mV @ 20 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-12CWQ04FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ04FNPBF -
RFQ
ECAD 4926 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 12CWQ04 Schottky D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 75 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 6a 530 mV @ 6 A 3 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
TBAW56,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAW56, LM 0,2100
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-23-3 Propacimento protável TBAW56 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 80 v 215mA -
42CTQ030S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 42CTQ030S -
RFQ
ECAD 6510 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 42ctq Schottky TO-263AB (D²PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 20a 480 mV @ 20 A 3 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DSA70C150HB IXYS DSA70C150HB -
RFQ
ECAD 9964 0,00000000 Ixys - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-247-3 DSA70C150 Schottky TO-247AD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 35a 900 mV @ 35 A 680 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VS-16CTQ080SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080SHM3 0,8712
RFQ
ECAD 6341 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 16CTQ080 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 8a 720 mv @ 8 a 550 µA A 80 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BAS40-04-7-F Diodes Incorporated BAS40-04-7-F 0,2200
RFQ
ECAD 73 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 40 v 200Ma (DC) 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 Na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SBG3050CT-T Diodes Incorporated SBG3050CT-T 1.9000
RFQ
ECAD 21 0,00000000 Diodos Incorporados * Fita de Corte (CT) Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 800
MDMA180P1600YD Littelfuse Inc. MDMA180P1600YD -
RFQ
ECAD 4691 0,00000000 Littelfuse Inc. - CAIXA Ativo Montagem do chassi Y4-M6 MDMA180 Padrão Y4-M6 - Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 280a 1,14 V @ 280 A 1 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAS70-05,215 NXP USA Inc. Bas70-05.215 0,0200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas70 Schottky SOT-23 download Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 70 v 70mA (DC) 1 V @ 15 mA 10 µA A 70 V 150 ° C (Máximo)
IDW30S120FKSA1 Infineon Technologies IDW30S120FKSA1 -
RFQ
ECAD 6351 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A247-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 240 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 1200 v 15a (DC) 1,8 V @ 30 A 305 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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