SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
MF200C12F2N Yangjie Technology MF200C12F2N 44.4025
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Padrão F2n - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MF200C12F2N Ear99 8 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1200 v 200a 2,3 V @ 200 A 110 ns 1 ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VS-UFL80FA60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFL80FA60 22.0000
RFQ
ECAD 159 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc Ufl80 Padrão SOT-227 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS-UFL80FA60GI Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 600 v 65a (DC) 1,49 V @ 60 A 115 ns 50 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BAV199UMTL Rohm Semiconductor BAV199UMTL 0,4900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-85 BAV199 Padrão Umd3f download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 80 v 215mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 3 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C.
DSEC16-06AC IXYS DSEC16-06AC 6.2068
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ECAD 1710 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tubo Ativo Através do buraco Isoplus220 ™ DSEC16 Padrão Isoplus220 ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 10a 2.1 V @ 10 A 35 ns 60 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C.
DPAD100 TO-72 4L Linear Integrated Systems, Inc. Dpad100 to-72 4l 7.4800
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ECAD 3756 0,00000000 Linear Integrated Systems, Inc. Dpad Volume Ativo Através do buraco TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN Padrão TO-72-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0080 500 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 45 v 50mA 1,5 V @ 1 MA 100 pa @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAV70WE6327 Infineon Technologies BAV70WE6327 -
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ECAD 1236 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Bav70 Padrão SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 150 Na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor MUR30060CTR 118.4160
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ECAD 2020 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR30060 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR30060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 150a 1,7 V @ 100 A 90 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SBRT30A100CTFP Diodes Incorporated SBRT30A100CTFP -
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ECAD 8476 0,00000000 Diodos Incorporados Trenchsbr Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SBRT30 Super Barreira ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SBRT30A100CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 800 mV @ 15 A 150 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRB1550CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1550CT-E3/81 -
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ECAD 9229 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB15 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 7.5a 750 mV @ 7.5 A 1 mA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C.
WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CWQ 5.1300
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ECAD 480 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 WNSC2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-3 download 1 (ilimito) 1740-WNSC2D20650CWQ Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 650 v 20a 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V 175 ° C.
MBRT60040R GeneSiC Semiconductor MBRT60040R 140.2020
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ECAD 8187 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MBRT60040 Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRT60040RGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 300A 750 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
ST3010AE3 Microchip Technology ST3010AE3 63.3000
RFQ
ECAD 5461 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-204AA, TO-3 ST3010 Padrão TO-204AA (TO-3) - Alcançar Não Afetado 150-ST3010AE3 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 15a 1,2 V @ 15 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 200 ° C.
EMP11T2R Rohm Semiconductor EMP11T2R 0,4300
RFQ
ECAD 69 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 EMP11 Padrão EMD6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par ânodo comum 80 v 100mA 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 100 Na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
V6KM45DU-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6km45du-m3/i 0,2478
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ECAD 5583 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-PowerTdfn V6km45 Schottky Flatpak 5x6 (Duplo) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 45 v 3a 610 mV @ 3 a 150 µA A 45 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MF300K04F3 Yangjie Technology MF300K04F3 16.4580
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Volume Ativo Montagem do chassi Módulo F3 Padrão F3 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MF300K04F3 Ear99 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 150a 1,05 V @ 150 A 90 ns 500 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
ST3010C Microchip Technology ST3010C 63.3000
RFQ
ECAD 4969 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-204AA, TO-3 ST3010 Padrão TO-204AA (TO-3) - Alcançar Não Afetado 150-ST3010C Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 1,2 V @ 15 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 200 ° C.
MUR1620FCT-BP Micro Commercial Co MUR1620FCT-BP 0,4950
RFQ
ECAD 1941 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Através do buraco Guia Isolada parágrafo 220-3 MUR1620 Padrão ITO-220AB download 353-MUR1620FCT-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 16a 950 mV @ 8 A 35 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAS7005WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS7005WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 6687 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Bas7005 Schottky PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 70 v 70mA (DC) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 Na @ 50 V 150 ° C (Máximo)
GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3 20.4600
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Semiq - Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc GHXS010 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 600 v 10a 1,7 V @ 10 A 100 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MD16180S-BM2MM Littelfuse Inc. MD16180S-BM2MM -
RFQ
ECAD 7308 0,00000000 Littelfuse Inc. - Volume Obsoleto Montagem do chassi Módlo S-3 Padrão S3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 180A 1,5 V @ 600 A 500 µA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MD100K18D1 Yangjie Technology MD100K18D1 18.1150
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Padrão D1 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MD100K18D1 Ear99 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1800 v 100a 1,4 V @ 300 A 5 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C.
61CNQ040SL SMC Diode Solutions 61CNQ040SL 17.4653
RFQ
ECAD 8192 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem na Superfície Prm3-sl 61cnq Schottky Prm3-sl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 61CNQ040SLSMC Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 30a 680 mV @ 30 A 5 mA a 40 V -55 ° C ~ 175 ° C.
HERF1008GA Taiwan Semiconductor Corporation HERF1008GA 0,5661
RFQ
ECAD 5252 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada HERF1008 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 10a 1,7 V @ 5 A 80 ns 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C.
ST3060D Microchip Technology ST3060D 63.3000
RFQ
ECAD 4567 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-204AA, TO-3 ST3060 Padrão TO-204AA (TO-3) - Alcançar Não Afetado 150-ST3060D Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 600 v 15a 1,2 V @ 15 A 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 200 ° C.
JANTX1N6660 Microsemi Corporation Jantx1N6660 -
RFQ
ECAD 3306 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/608 Volume Ativo Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) 1N6660 Schottky TO-254AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 750 mv @ 15 a 1 ma @ 45 V 150 ° C (Máximo)
MBRF2560CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2560CT -
RFQ
ECAD 3419 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF2560 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 25a 750 mV @ 12,5 A 2 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor MUR20020CT 101.6625
RFQ
ECAD 4523 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR20020 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR20020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 100a 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SCDAS6 Semtech Corporation SCDAS6 -
RFQ
ECAD 3326 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Módlo Scdas - - - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) - 600 v 21.25a 1 V @ 18 A 2 µs 6 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
TSF30H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H150C 1.3110
RFQ
ECAD 3112 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF30 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 900 mV @ 15 A 150 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SRS16100H Taiwan Semiconductor Corporation SRS16100H 0,8026
RFQ
ECAD 4259 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SRS16100 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SRS16100HTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 16a 900 mV @ 8 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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