SIC
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Matriza de Diodo (16722)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
CD412099C Powerex Inc. CD412099C 41.5500
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 ECAD 29 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Pow-R-Blok ™ CD412099 Padrão Módlo Pow-R-Blok ™ download Rohs Compatível Não Aplicável 835-1196 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 2000 v 100a 1,65 V @ 330 A 12 ma @ 2000 v -40 ° C ~ 150 ° C.
BAV170-7-G Diodes Incorporated BAV170-7-G -
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 ECAD 5994 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BAV170 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BAV170-7-GDI Ear99 8541.10.0070 3.000
CPT20145D Microsemi Corporation CPT20145D -
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 ECAD 2820 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 45 v 100a 680 mV @ 200 A 4 ma @ 45 V
BAV99FT116 Rohm Semiconductor BAV99FT116 -
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 ECAD 7310 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bav99 Padrão SSD3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 846-Bav99ft116tr Obsoleto 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 75 v 215mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA A 75 V 150 ° C (Máximo)
VS-113CNQ100ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-113CNQ100ASLPBF -
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 ECAD 2410 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície D-61-8-SL 113CNQ100 Schottky D-61-8-SL download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS-113CNQ100ASLPBFGI Ear99 8541.10.0080 400 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 55a 1 V @ 110 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
HER3002PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER3002PT C0G -
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 ECAD 3191 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 HER3002 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 30a 1 V @ 15 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
322CMQ030 SMC Diode Solutions 322cmq030 57.7937
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 ECAD 2824 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem do chassi Prm4 322cmq Schottky Prm4 (Isolado) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 322CMQ030SMC Ear99 8541.10.0080 9 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 150a 560 mV @ 150 A 10 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SRF2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2020 C0G -
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 ECAD 6545 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SRF2020 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 20a 550 mV @ 10 A 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C.
BAT754S,215 NXP USA Inc. BAT754S, 215 0,0600
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 ECAD 11 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT754 Schottky SOT-23 download Ear99 8541.10.0070 5.352 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 30 v 200Ma (DC) 600 mV @ 100 Ma 2 µA A 25 V 125 ° C (Máximo)
VS-42CTQ030PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030PBF -
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 ECAD 6206 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-3 42CTQ030 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 20a 480 mV @ 20 A 3 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SBR30A45CTB Diodes Incorporated SBR30A45CTB -
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 ECAD 8127 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SBR30 Super Barreira TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO SBR30A45CTBDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 550 mV @ 15 A 500 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VS-VSKH320-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskh320-16pbf 190.7000
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 ECAD 2545 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi Magn-a-pak (3) Vskh320 Padrão Magn-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vsvskh32016pbf Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 160a 50 mA a 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
F1892CAD600 Sensata-Crydom F1892CAD600 -
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 ECAD 7667 0,00000000 Sensata-Crydom - Volume Obsoleto Montagem do chassi Módlo Padrão Módlo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 90A (DC) 1,4 V @ 270 A -40 ° C ~ 125 ° C.
SBR20U40CT-G Diodes Incorporated SBR20U40CT-G 1.7100
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 ECAD 9779 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SBR20 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 10a 470 mV @ 10 A 500 µA A 40 V -65 ° C ~ 150 ° C.
82CNQ030SM SMC Diode Solutions 82CNQ030SM 14.0530
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 ECAD 3349 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Através do buraco Prm2-sm 82cnq Schottky Prm2-sm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 82CNQ030SMSMC Ear99 8541.10.0080 48 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 40A 550 mV @ 40 A 5 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2045FCTS-BP Micro Commercial Co MBR2045FCTS-BP 0,8500
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 ECAD 976 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tubo Ativo Através do buraco Guia Isolada parágrafo 220-3 MBR2045 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 353-MBR2045FCTS-BP Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 20a 650 mV @ 10 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MA6X12600L Panasonic Electronic Components MA6X12600L -
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 ECAD 4672 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-23-6 MA6X126 Padrão Mini6-G1 download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par cátodo comum 80 v 100mA (DC) 1,2 V @ 100 Ma 10 ns 100 Na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
MBRF10150CT-LJ Diodes Incorporated MBRF10150CT-LJ -
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 ECAD 3033 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF1015 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO MBRF10150CT-LJDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 5a 890 mV @ 5 A 50 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
HERF1602G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1602G C0G -
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 ECAD 2011 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada Herf1602 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 16a 1 V @ 8 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAW101S-7 Diodes Incorporated BAW101S-7 0,4300
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 ECAD 1 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAW101 Padrão SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 300 v 250mA (DC) 1,1 V @ 100 Ma 50 ns 150 Na @ 250 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBD4448HSDW-7-G Diodes Incorporated MMBD4448HSDW-7-G -
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 ECAD 4038 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MMBD4448HSDW-7-GDI Ear99 8541.10.0070 3.000
VS-VSKJ320-04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vskj320-04pbf 201.0700
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 ECAD 3079 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi 3-MAGN-A-PAK ™ Vskj320 Padrão Magn-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vsvskj32004pbf Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v 160a 50 mA a 400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor MUR30010CT 118.4160
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 ECAD 3681 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR30010 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR30010CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 150a 1,3 V @ 100 A 90 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SBR30A100CTE-G Diodes Incorporated SBR30A100CTE-G 1.3160
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 ECAD 4511 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA SBR30 Super Barreira To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO SBR30A100CTE-GDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 800 mV @ 15 A 100 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MBR3040CTP Diodes Incorporated MBR3040CTP -
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 ECAD 2014 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P - 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Obsoleto 0000.00.0000 50
MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTRL -
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 ECAD 2255 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 40 v 200a 600 mv @ 200 a 3 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S-D3 47.0100
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 ECAD 6856 0,00000000 Semiq - Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc GHXS100 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 1560-GHXS100B065S-D3 Ear99 8541.10.0080 10 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 650 v 193a (DC) 1,65 V @ 100 A 0 ns 250 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
SBT20100VCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBT20100VCT_T0_00001 -
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 ECAD 5468 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 SBT20100 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Não Aplicável 3757-SBT20100VCT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 710 mV @ 10 A 80 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF10L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10L100CTHC0G -
RFQ
 ECAD 3641 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF10 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 850 mV @ 10 A 20 mA a 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-MBRB2045CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB2045CTPBF -
RFQ
 ECAD 9593 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB20 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 10a 570 mV @ 10 A 100 µA A 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
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