SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
MDD255-12N1 IXYS MDD255-12N1 141.7767
RFQ
ECAD 9267 0,00000000 Ixys - CAIXA Ativo Montagem do chassi Y1-Cu MDD255 Padrão Y1-Cu download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MDD25512N1 Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1200 v 270a 1,4 V @ 600 A 30 mA a 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBR30H45CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H45CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5452 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR30 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 620 mV @ 15 a 80 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MBR30H90CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H90CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8863 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR30 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 90 v 15a 820 mV @ 15 a 5 µA A 90 V -65 ° C ~ 175 ° C.
STTH16L06CTY STMicroelectronics STTH16L06CTY 2.2500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 STTH16 Padrão To-220 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 10a 1,8 V @ 8 A 55 ns 8 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR 102.9600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR400100 Schottky, reversa polaridada Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1106 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 200a 840 mV @ 200 A 5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GSBAT54CT Good-Ark Semiconductor GSBAT54CT 0,2000
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ECAD 5 0,00000000 Semicondutor de Boa Coisa - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-523 Schottky SOT-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 30 v 200Ma 500 mV a 30 mA 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C.
MBRF10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150CTC0 -
RFQ
ECAD 2488 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF1015 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 980 mV @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
STPS6045CPIRG STMicroelectronics STPS6045CPIRG -
RFQ
ECAD 9156 0,00000000 Stmicroelectronics - Volume Obsoleto Através do buraco Top 3 Isolado STPS60 Schottky Top 3i download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 30a 630 mV @ 30 A 500 µA @ 45 V 175 ° C (max)
MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor MBR500100CTR -
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ECAD 2210 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky, reversa polaridada Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR500100CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 250a 880 mV @ 250 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
V10D45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10d45c-m3/i 0,9900
RFQ
ECAD 9884 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante V10d45 Schottky Smpd download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 5a 580 mV @ 5 A 500 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C.
SBAW56TT1G onsemi SBAW56TT1G 0,3000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 SBAW56 Padrão SC-75, SOT-416 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 70 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 2,5 µA A 70 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FST16145A Microsemi Corporation FST16145A -
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ECAD 2949 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Montagem do parafuso To-249aa Schottky To-249 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 45 v 80a 650 mV @ 80 A 2 mA a 45 V
BAV70HDWQ-13-52 Diodes Incorporated BAV70HDWQ-13-52 0,0337
RFQ
ECAD 4480 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bav70 Padrão SOT-363 download 31-BAV70HDWQ-13-52 Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par cátodo comum 100 v 125mA 1 V @ 50 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SBR30A60CT Diodes Incorporated SBR30A60CT 1.9500
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SBR30 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 600 mV @ 15 A 500 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
GP1601 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1601 C0G -
RFQ
ECAD 3072 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 GP1601 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 16a 1,1 V @ 8 A 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAV199E6359HTMA1 Infineon Technologies BAV199E6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 1788 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 Padrão PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 1,5 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
FMU-24R Sanken FMU-24R -
RFQ
ECAD 7089 0,00000000 Sanken - Volume Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão TO-220F download Rohs Compatível 1 (ilimito) FMU-24R DK Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v 10a 1,5 V @ 5 A 400 ns 50 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
STF10120C SMC Diode Solutions STF10120C 0,6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada STF10120 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v - 880 mV @ 5 A 500 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1S954-T4-AZ Renesas Electronics America Inc 1S954-T4-AZ -
RFQ
ECAD 5304 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo 1S954 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 1
SFF10L05GA Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L05GA 0.4119
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ECAD 2479 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF10L05 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SFF10L05GA Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 300 v 5a 1,3 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C.
89CNQ150A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 89CNQ150A -
RFQ
ECAD 6475 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-61-8 89cnq Schottky D-61-8 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 40A 990 mV @ 40 A 1,5 mA a 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBR1050CT-BP Micro Commercial Co MBR1050CT-BP 0,2938
RFQ
ECAD 6470 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Última Vez compra Através do buraco To-220-3 MBR105 Schottky TO-220AB download 353-MBR1050CT-BP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 10a 100 µA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAS70WT-05-TP Micro Commercial Co BAS70WT-05-TP 0,0426
RFQ
ECAD 5686 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Bas70 Schottky SOT-323 download 353-BAS70WT-05-TP Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 70 v 70mA 1 V @ 15 mA 5 ns 100 Na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C.
VS-8CVH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CVH01-M3/i 0,8400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 8CVH01 Padrão Slimdpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 4a 710 mV @ 8 a 25 ns 4 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MD100K16D1 Yangjie Technology MD100K16D1 18.0640
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Padrão D1 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MD100K16D1 Ear99 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1600 v 100a 1,4 V @ 300 A 5 MA A 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAT54S_G onsemi Bat54s_g -
RFQ
ECAD 7568 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 30 v 200Ma 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SDUR1640CT SMC Diode Solutions SDUR1640CT 0,9100
RFQ
ECAD 113 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SDUR1640 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v - 1,3 V @ 8 A 45 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAT54S-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54S-HE3-18 0,3400
RFQ
ECAD 45 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 30 v 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C (Máximo)
UGB15JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB15JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6785 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB15 Padrão TO-263AB (D²PAK) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,75 V @ 15 A 50 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
G3S12030B Global Power Technology Co. Ltd G3S12030B -
RFQ
ECAD 4934 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB - Fornecedor indefinido 4436-G3S12030B 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 1200 v 42a (DC) 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque