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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
ACDSV6-4448TI-G	0,4400	RFQ	41	Tecnologia Comchip	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ACDSV6	Padrão	SOT-363	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	3 Independente	80 v	100mA	1 V @ 100 Ma	4 ns	100 Na @ 75 V	150 ° C (Máximo)
MBR4040PT	-	RFQ	4042	Diodos Incorporados	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	TO-3P-3, SC-65-3		Schottky	TO-3P	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	40 v	40A	700 mV @ 20 A		1 mA a 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
BAS16VA-7	0,4100	RFQ	3	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	SOT-563, SOT-666	Bas16	Padrão	SOT-563	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	3 Independente	100 v	200Ma (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	500 Na @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
Rbq10ns45afhtl	1.0400	RFQ	772	Rohm Semiconducor	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	RBQ10	Schottky	LPDS	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	10a	650 mV @ 5 A		70 µA @ 45 V	150 ° C (Máximo)
Sbl4050pt	-	RFQ	5603	Diodos Incorporados	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	TO-3P-3, SC-65-3	SBL4050	Schottky	TO-3P	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	50 v	40A	700 mV @ 20 A		1 mA a 50 V	-55 ° C ~ 125 ° C.
VBT2080C-E3/8W	0,6270	RFQ	4125	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	VBT2080	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	80 v	10a	810 mV @ 10 A		600 µA A 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
Sbl3060ct_hf	-	RFQ	4082	Diodos Incorporados	-	Volume	Obsoleto	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3	SBL3060	Schottky	TO-220AB	download				31-SBL3060CT_HF	Obsoleto		1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	30a	700 mV @ 15 a		100 µA A 60 V	-55 ° C ~ 125 ° C.
SBLB25L20CT-E3/45	-	RFQ	6176	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	SBLB25L20	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	20 v	12.5a	490 mV @ 12,5 A		900 µA A 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
VS-MBR2535CT-1PBF	-	RFQ	4925	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado no sic	Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	MBR25	Schottky	TO-262-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	VSMBR2535CT1PBF	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	35 v	15a	820 mV @ 15 a		200 µA A 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
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Jantxv1n7043cat1	218.3550	RFQ	8367	Microchip Technology	MIL-PRF-19500/730	Volume	Ativo	Através do buraco	TO-254-3, TO-254AA	1N7043	Schottky	TO-254AA	download	Rohs Não Compatível		Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	100 v	35a	1,3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
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MBRS1060CT Mng	-	RFQ	9303	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRS1060	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	10a	900 mV @ 10 A		100 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
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VS-6CWQ03FNTL-M3	0,3345	RFQ	6463	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	6CWQ03	Schottky	D-Pak (TO-252AA)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs6cwq03fntrlm3	Ear99	8541.10.0080	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	30 v	3.5a	520 mV @ 6 a		2 mA a 30 V	150 ° C (Máximo)
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Mbrb20h60cthe3_b/p	0,8745	RFQ	3429	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB20	Schottky	TO-263AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	10a	710 mV @ 10 A		100 µA A 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
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SS8P6CHM3/86A	-	RFQ	7770	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic	Montagem na Superfície	TO-277, 3-POWERDFN	SS8P6	Schottky	TO-277A (SMPC)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	4a	700 mv @ 4 a		50 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBRS15H45Cth	0,6928	RFQ	4461	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRS15	Schottky	TO-263AB (D2PAK)	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	1801-MBRS15H45CTHTR	Ear99	8541.10.0080	1.600	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	15a	800 mV @ 15 A		30 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
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FMET-21515	-	RFQ	5316	Sanken	-	Volume	Ativo			FMET-21			-	Rohs Compatível			1261-FMET-21515			1.000
1n5194ur/tr	9.2100	RFQ	4256	Microchip Technology	Sigma Bond ™	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	DO-213AA		Padrão	DO-213AA	-							105	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 Independente	70 v	200Ma	1 V @ 100 Ma		25 Na @ 70 V	-55 ° C ~ 200 ° C.
2952211	81.1500	RFQ	3087	Contato de Phoenix	-	Volume	Ativo	Din Rail	Módlo	29522	Padrão	Módlo	download	Rohs Compatível	Não Aplicável		EMG 22-DIO 4M-1N5408	Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	14 ânodo comum	1000 v	-			10 µA A 1000 V	-20 ° C ~ 50 ° C.
VBT3060C-E3/4W	0,6001	RFQ	3962	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Tubo	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	VBT3060	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	15a	700 mV @ 15 a		1,2 mA a 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
CDSH3-222P-G	0,0661	RFQ	4139	Tecnologia Comchip	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	SOT-523	CDSH3-222	Padrão	SOT-523	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	80 v	300mA	1,2 V @ 100 Ma	4 ns	100 Na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
MUR2X030A12	-	RFQ	5884	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc		Padrão	SOT-227	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		1242-1308	Ear99	8541.10.0080	13	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	1200 v	30a	2,35 V @ 30 A	85 ns	25 µA A 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
UGF1008GH	0,4932	RFQ	3539	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	UGF1008	Padrão	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível		Alcançar Não Afetado	1801-UGF1008GH	Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	10a	1,7 V @ 5 A	25 ns	10 µA A 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.

2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
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Matriza de Diodo (16722)

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30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²