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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDBD20200-HF | - | ![]() | 4116 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | CDBD20200 | Schottky | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20A (DC) | 1 V @ 10 A | 500 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRD12150CT | 0,2624 | ![]() | 3445 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD12150 | Schottky | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | - | 1 V @ 10 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-HFA30TA60CS-M3 | 1.9300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA30 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 15a (DC) | 2 V @ 30 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | SBL3030CT | - | ![]() | 9429 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | SBL3030 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 15a | 550 mV @ 15 A | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | SR2040 | 0,5920 | ![]() | 2253 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR2040 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 20a | 550 mV @ 10 A | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | DD500S33HE3BPSA1 | 975.1600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DD500S33 | Padrão | AG-IHVB130-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 3300 v | - | 3,85 V @ 500 A | 500 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | BAW56S/DG/B3F | - | ![]() | 4927 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | BAW56 | Padrão | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934069951135 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 par ânodo comum | 90 v | 250mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | BAT160S-QX | 0,6900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | BAT160 | Schottky | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 60 v | 1a | 650 mV @ 1 a | 350 µA A 60 V | 150 ° C. | |||
![]() | NTE6086 | 6.7700 | ![]() | 24 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6086 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
DAA10P1800PZ-TUB | 4.2936 | ![]() | 6546 | 0,00000000 | Ixys | DAA10P1800PZ | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | DAA10 | Avalanche | TO-263HV | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-DAA10P1800PZ-TUB | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1800 v | 10a | 1,26 V @ 10 A | 10 µA A 1800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | MSRT10080D | 87.1935 | ![]() | 8568 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT100 | Padrão | Três Torre | download | ROHS3 Compatível | 1242-MSRT10080D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 100a | 1,1 V @ 100 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | STPSC31H12CWY | 17.6500 | ![]() | 5706 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | STPSC31 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 497-STPSC31H12CWY | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 15a | 1,5 V @ 15 A | 0 ns | 90 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | BAT54C | 0,1200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 30 v | 200Ma | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | RURH3010CC | 3.3200 | ![]() | 622 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | Avalanche | TO-218 ISOLADO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 1 V @ 30 A | 50 ns | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBR16200CT_T0_00001 | 0,3591 | ![]() | 4209 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR16200 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR16200CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 16a | 900 mV @ 8 a | 50 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | STF2050C | 0,9800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | STF2050 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | - | 550 mV @ 10 A | 1,5 mA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | STPS15L60CB-TR | 1.1600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STPS15 | Schottky | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 7.5a | 620 mV @ 7,5 A | 200 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | SR3060PT | - | ![]() | 3445 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-3 | SR3060 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 30a | 700 mV @ 15 a | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Bas56.215 | 0,0400 | ![]() | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Bas56 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | GD2X30MPS12D | 17.3000 | ![]() | 170 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | GD2X | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD2X30MPS12D | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 55a (DC) | 1,8 V @ 30 A | 20 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBR15150CTH | 0,8740 | ![]() | 5519 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR15150 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBR15150Cth | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 1,05 V @ 7,5 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MUR1620CT | - | ![]() | 1143 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MUR1620 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MF150K06F2 | 28.0963 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | F2 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MF150K06F2 | Ear99 | 8 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 150a | 1,6 V @ 150 A | 130 ns | 1 mA a 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBRB3045CT-TP | 0,8435 | ![]() | 3284 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB3045 | Schottky | D2PAK | download | 353-MBRB3045CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 760 mV @ 30 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VS-20CTQ040-M3 | 0,8135 | ![]() | 7109 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 20ctq040 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 20a | 760 mV @ 20 A | 2 mA a 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBRS20150CT-Y | 0,6433 | ![]() | 1792 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS20150 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS20150CT-YTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 990 mV @ 10 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | BD1090CS_S2_00001 | 0,4887 | ![]() | 7498 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | BD1090 | Schottky | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a | 800 mV @ 5 A | 50 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
V30100PW-M3/4W | - | ![]() | 4707 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo para 3p-3 | V30100 | Schottky | TO-3PW | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 910 mV @ 15 A | 450 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBR30200FCTE3/TU | 1.7600 | ![]() | 1557 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR30200 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 15a | 900 mV @ 15 A | 50 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | FFPF30UP20DPTU | - | ![]() | 7139 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FFPF30 | Padrão | TO-220F-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 15a | 1,15 V @ 15 A | 45 ns | 100 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. |
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