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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB205T-40NZC9 | 2.5100 | ![]() | 941 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RB205 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RB205T-40NZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 15a | 550 mV @ 7,5 A | 300 µA A 40 V | 150 ° C. | ||
![]() | MSAD60-18 | - | ![]() | 2934 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D1 | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1800 v | 60a | 1,3 V @ 200 A | 5 mA @ 1800 V | ||||||
![]() | BAV70-ON | 0,0300 | ![]() | 98 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bav70 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 70 v | 200Ma | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 5 µA @ 70 V | 150 ° C. | ||
![]() | DD230S24KHPSA1 | - | ![]() | 1582 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 2400 v | 261a | 1,74 V @ 800 A | 160 mA @ 2400 V | 150 ° C. | |||||
![]() | MBRTA60020R | - | ![]() | 6358 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 20 v | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MUR2060CT | 0,4217 | ![]() | 5391 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | TO-220AB | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2796-MUR2060CT | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a | 2 V @ 10 A | 50 ns | 1 µA A 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | SSTDPAD5 SOIC 8L | 6.8100 | ![]() | 4466 | 0,00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | Dpad | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SSTDPAD5 | Padrão | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0080 | 95 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 30 v | 50mA | 1,5 V @ 1 MA | 5 PA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MA3X153A0L | - | ![]() | 5631 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MA3X153 | Padrão | Mini3-G1 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 80 v | 100mA (DC) | 1,2 V @ 100 Ma | 150 ns | 100 Na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | VBT4045C-E3/8W | 2.6900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT4045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 580 mV @ 20 A | 3 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR10150CT_T0_00001 | 0,7900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR10150 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR10150CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 900 mV @ 5 A | 50 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | Ump1nfhtr | - | ![]() | 1197 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Ump1 | Padrão | Umd5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par ânodo comum | 80 v | 25Ma | 900 mV @ 5 mA | 4 ns | 100 Na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | MB400K02F4 | 22.3650 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Schottky | F4 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MB400K02F4 | Ear99 | 12 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 200a | 900 mV @ 200 A | 5 mA a 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | Rb715umfhtl | 0,4200 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | SC-85 | RB715 | Schottky | Umd3f | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 40 v | 30Ma | 370 mV @ 1 Ma | 1 µA A 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||
![]() | BAS70-07WE6327 | - | ![]() | 9116 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-82A, SOT-343 | Bas70 | Schottky | PG-SOT343-4-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.750 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 70 v | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150 ° C. | ||
![]() | MBRB40200CT-TP | 1.1258 | ![]() | 7224 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB40200 | Schottky | D2PAK | download | 353-MBRB40200CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 40A | 900 mV @ 20 A | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | UGB8JCT-E3/81 | - | ![]() | 9562 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UGB8 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 4a | 1,75 V @ 4 a | 50 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | DSSS30-01AR | - | ![]() | 4808 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | DSSS30 | Schottky | Isoplus247 ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 100 v | 30a | 790 mV @ 30 A | 2 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBRF2060CT-JT | - | ![]() | 8486 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBRF2060CT-JTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 810 mV @ 10 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | HSB226STL-E | 0,2200 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | MBR2X050A060 | 43.6545 | ![]() | 5087 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 60 v | 50a | 750 mV @ 50 A | 1 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | SBR20A45CTB-13 | - | ![]() | 2579 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Sbr | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBR20 | Super Barreira | TO-263AB (D²PAK) | - | 1 (ilimito) | 31-SBR20A45CTB-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 600 mV @ 20 A | 500 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Bas70wt-04-tp | 0,2000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||
![]() | FEPB16FT-E3/45 | 0,9405 | ![]() | 2861 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FEPB16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 8a | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | VX60M60C-M3/P. | 1.0395 | ![]() | 5866 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Vx60m | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-VX60M60C-M3/P. | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 30a | 660 mV @ 30 A | 600 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MBRBL3045CT | 0,4910 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | D2PAK | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRBL3045CTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 530 mV @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | V15K100C-M3/H. | 0,8700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 4.2a | 690 mV @ 7.5 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | FEP16HT-E3/45 | 1.5700 | ![]() | 985 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | FEP16 | Padrão | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 500 v | 16a | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | SCS210KE2GC11 | 10.1000 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SCS210 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-SCS210KE2GC11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 5a (DC) | 1,6 V @ 5 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | 175 ° C. | |
![]() | MBRB10200CTS | 0,2810 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | D2PAK | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRB10200CTSTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 930 mV @ 5 A | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | MURT10010R | - | ![]() | 9699 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MURT10010RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 100 v | 50a | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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