SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
MBRB2080CTTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2080CTTRL -
RFQ
ECAD 6148 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB20 Schottky TO-263AB (D²PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA A 80 V -65 ° C ~ 150 ° C.
RB496EATR Rohm Semiconductor RB496ATR 0,6200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 RB496 Schottky TSMD5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 20 v 1a 400 mv @ 1 a 500 µA A 10 V 125 ° C (Máximo)
FEPB16BT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16BT-E3/81 0,9817
RFQ
ECAD 1027 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FEPB16 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 8a 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF10100CTP SMC Diode Solutions MBRF10100CTP 0,6200
RFQ
ECAD 4415 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF1010 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 1655-1094 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v - 850 mv @ 5 a 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAS40-04T Yangjie Technology Bas40-04t 0,0170
RFQ
ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-523 Bas40 Schottky SOT-523 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-BAS40-04TTR Ear99 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 40 v 200Ma 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 Na @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C.
RB706WM-40TL Rohm Semiconductor RB706WM-40TL 0,4100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 RB706 Schottky EMD3F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 40 v 30Ma 370 mV @ 1 Ma 500 Na @ 30 V 125 ° C.
MBR3090FCTE3/TU Microchip Technology MBR3090FCTE3/TU 1.1700
RFQ
ECAD 7331 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR3090 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 90 v 15a 800 mV @ 15 A 50 µA @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C.
1SS384TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1ss384te85lf 0,4200
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-82 1SS384 Schottky USQ download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA A 10 V 125 ° C (Máximo)
VS-VSUD400CW20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSUD400CW20 58.4300
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Volume Ativo Montagem do chassi TO-244AB Vsud400 Padrão TO-244AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSVSUD400CW20 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 330A 2 V @ 200 A 90 ns 1,38 mA a 200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAS21UE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS21UE6327HTSA1 0,4900
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 Bas21 Padrão PG-SC74-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 3 Independente 200 v 250mA (DC) 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 150 ° C (Máximo)
UGF2008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008GHC0G -
RFQ
ECAD 7531 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada UGF2008 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 20a 1,7 V @ 10 A 25 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
16CTQ080STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 16CTQ080STRL -
RFQ
ECAD 2740 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 16ctq Schottky TO-263AB (D²PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 8a 720 mv @ 8 a 550 µA A 80 V -55 ° C ~ 175 ° C.
88CNQ060SMS2 SMC Diode Solutions 88CNQ060SMS2 15.6347
RFQ
ECAD 5837 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Através do buraco Prm2-sm 88cnq Schottky Prm2-sm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 48 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 40A 770 mV @ 80 A 640 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BAV70DV-7 Diodes Incorporated BAV70DV-7 0,3800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 Bav70 Padrão SOT-563 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 par cátodo comum 75 v 150mA 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 2,5 µA A 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
VS-30CTT100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTT100 -
RFQ
ECAD 3558 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 30ctt100 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS30CTT100 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 30a 1,05 V @ 30 A 280 µA @ 100 V 175 ° C (max)
UGF1005GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1005GA 0,4786
RFQ
ECAD 8321 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada UGF1005 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-UGF1005GA Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 300 v 10a 1,25 V @ 5 A 20 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 175 ° C.
UGB10CCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB10CCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4070 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB10 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 5a 1,1 V @ 5 A 25 ns 10 µA A 150 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBR20100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20100CTH -
RFQ
ECAD 8729 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-3 MBR20100 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 950 mV @ 20 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR25H60CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Mbr25h60cthe3/45 -
RFQ
ECAD 9423 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR25 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 700 mV @ 15 a 100 µA A 60 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BYV52PI-200RG STMicroelectronics BYV52PI-200RG -
RFQ
ECAD 5989 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco Top 3 Isolado BYV52 Padrão Top 3i download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 30a 850 mV @ 20 A 50 ns 25 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
16CTU04-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 16CTU04-1 -
RFQ
ECAD 3212 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA 16CTU04 Padrão TO-262-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 8a 1,3 V @ 8 A 60 ns 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C.
DSA240X150NA IXYS Dsa240x150na -
RFQ
ECAD 7343 0,00000000 Ixys - Tubo Descontinuado no sic Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc DSA240 Schottky SOT-227B download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 150 v 120a 980 mV @ 120 A 4 mA A 150 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VS-MURB2020CTLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURR2020CTLHM3 1.2182
RFQ
ECAD 6382 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MURB2020 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSMURB2020CTLHM3 Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 850 mv @ 8 a 21 ns 15 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MURT30060 GeneSiC Semiconductor MURT30060 118.4160
RFQ
ECAD 1002 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT30060GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 150a 1,7 V @ 150 A 200 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
HERF1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1001G C0G -
RFQ
ECAD 7450 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada HERF1001 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 10a 1 V @ 10 A 50 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
220CNQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 220CNQ030 -
RFQ
ECAD 2869 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB 220CNQ Schottky TO-244AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *220CNQ030 Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 220A 570 mV @ 220 A 10 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
689-1P Microchip Technology 689-1p 280.3200
RFQ
ECAD 4582 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do chassi Nd 689-1 Padrão Nd download Alcançar Não Afetado 150-689-1p Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 1,2 V @ 10 A 500 ns 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C.
300CMQ035 SMC Diode Solutions 300CMQ035 57.7937
RFQ
ECAD 5813 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem do chassi Prm4 300cmq Schottky Prm4 (Isolado) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 300CMQ035SMC Ear99 8541.10.0080 9 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 150a 610 mV @ 150 A 15 mA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SDURF1540CTR SMC Diode Solutions SDURF1540CTR 0,7400
RFQ
ECAD 965 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SDURF1540 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v - 1,3 V @ 8 A 45 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SRF1030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1030 C0G -
RFQ
ECAD 3096 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SRF1030 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 10a 550 mV @ 5 A 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque