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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRB2080CTTRL | - | ![]() | 6148 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | RB496ATR | 0,6200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | RB496 | Schottky | TSMD5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 20 v | 1a | 400 mv @ 1 a | 500 µA A 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||
![]() | FEPB16BT-E3/81 | 0,9817 | ![]() | 1027 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FEPB16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 8a | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBRF10100CTP | 0,6200 | ![]() | 4415 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF1010 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-1094 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | - | 850 mv @ 5 a | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | Bas40-04t | 0,0170 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-523 | Bas40 | Schottky | SOT-523 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BAS40-04TTR | Ear99 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 200Ma | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | RB706WM-40TL | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-89, SOT-490 | RB706 | Schottky | EMD3F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 30Ma | 370 mV @ 1 Ma | 500 Na @ 30 V | 125 ° C. | |||
![]() | MBR3090FCTE3/TU | 1.1700 | ![]() | 7331 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR3090 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 15a | 800 mV @ 15 A | 50 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | 1ss384te85lf | 0,4200 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-82 | 1SS384 | Schottky | USQ | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 Independente | 10 v | 100mA | 500 mV @ 100 Ma | 20 µA A 10 V | 125 ° C (Máximo) | ||||
![]() | VS-VSUD400CW20 | 58.4300 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-244AB | Vsud400 | Padrão | TO-244AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSVSUD400CW20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 330A | 2 V @ 200 A | 90 ns | 1,38 mA a 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |
![]() | BAS21UE6327HTSA1 | 0,4900 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | Bas21 | Padrão | PG-SC74-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 3 Independente | 200 v | 250mA (DC) | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | UGF2008GHC0G | - | ![]() | 7531 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF2008 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 20a | 1,7 V @ 10 A | 25 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | 16CTQ080STRL | - | ![]() | 2740 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 16ctq | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 8a | 720 mv @ 8 a | 550 µA A 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | 88CNQ060SMS2 | 15.6347 | ![]() | 5837 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Prm2-sm | 88cnq | Schottky | Prm2-sm | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 48 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 40A | 770 mV @ 80 A | 640 µA A 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
BAV70DV-7 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | Bav70 | Padrão | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par cátodo comum | 75 v | 150mA | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 2,5 µA A 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-30CTT100 | - | ![]() | 3558 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | 30ctt100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS30CTT100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 1,05 V @ 30 A | 280 µA @ 100 V | 175 ° C (max) | ||
![]() | UGF1005GA | 0,4786 | ![]() | 8321 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1005 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF1005GA | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 300 v | 10a | 1,25 V @ 5 A | 20 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | UGB10CCT-E3/45 | - | ![]() | 4070 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | UGB10 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 1,1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBR20100CTH | - | ![]() | 8729 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MBR20100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 950 mV @ 20 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Mbr25h60cthe3/45 | - | ![]() | 9423 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR25 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 700 mV @ 15 a | 100 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | BYV52PI-200RG | - | ![]() | 5989 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Top 3 Isolado | BYV52 | Padrão | Top 3i | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 30a | 850 mV @ 20 A | 50 ns | 25 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | 16CTU04-1 | - | ![]() | 3212 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 16CTU04 | Padrão | TO-262-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 8a | 1,3 V @ 8 A | 60 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | Dsa240x150na | - | ![]() | 7343 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | DSA240 | Schottky | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 150 v | 120a | 980 mV @ 120 A | 4 mA A 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-MURR2020CTLHM3 | 1.2182 | ![]() | 6382 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MURB2020 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMURB2020CTLHM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 21 ns | 15 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | MURT30060 | 118.4160 | ![]() | 1002 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MURT30060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 150a | 1,7 V @ 150 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | HERF1001G C0G | - | ![]() | 7450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | HERF1001 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 10a | 1 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | 220CNQ030 | - | ![]() | 2869 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | 220CNQ | Schottky | TO-244AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *220CNQ030 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 220A | 570 mV @ 220 A | 10 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | 689-1p | 280.3200 | ![]() | 4582 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Nd | 689-1 | Padrão | Nd | download | Alcançar Não Afetado | 150-689-1p | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 1,2 V @ 10 A | 500 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | 300CMQ035 | 57.7937 | ![]() | 5813 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Prm4 | 300cmq | Schottky | Prm4 (Isolado) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 300CMQ035SMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 9 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 150a | 610 mV @ 150 A | 15 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | SDURF1540CTR | 0,7400 | ![]() | 965 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SDURF1540 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | - | 1,3 V @ 8 A | 45 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | SRF1030 C0G | - | ![]() | 3096 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SRF1030 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 10a | 550 mV @ 5 A | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. |
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