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Matriza de Diodo (16722)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção
689-1P Microchip Technology 689-1p 280.3200
RFQ
 ECAD 4582 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do chassi Nd 689-1 Padrão Nd download Alcançar Não Afetado 150-689-1p Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 1,2 V @ 10 A 500 ns 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C.
300CMQ035 SMC Diode Solutions 300CMQ035 57.7937
RFQ
 ECAD 5813 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem do chassi Prm4 300cmq Schottky Prm4 (Isolado) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 300CMQ035SMC Ear99 8541.10.0080 9 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 150a 610 mV @ 150 A 15 mA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SDURF1540CTR SMC Diode Solutions SDURF1540CTR 0,7400
RFQ
 ECAD 965 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SDURF1540 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v - 1,3 V @ 8 A 45 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SRF1030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1030 C0G -
RFQ
 ECAD 3096 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SRF1030 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 30 v 10a 550 mV @ 5 A 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C.
MA4X74600L Panasonic Electronic Components MA4X74600L -
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 ECAD 4664 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-253-4, TO-253AA MA4x746 Schottky Mini4-G1 download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 50 v 200Ma 550 mV a 200 mA 3 ns 200 µA a 50 V 125 ° C (Máximo)
RB228T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB228T-40NZC9 1.7300
RFQ
 ECAD 988 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 RB228 Schottky TO-220FN download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 30a 770 mV @ 15 A 10 µA A 40 V 150 ° C.
BAT74S,135 Nexperia USA Inc. BAT74S, 135 0,4000
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 ECAD 4533 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT74 Schottky 6-TSSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 30 v 200Ma (DC) 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C (Máximo)
VS-MBR3045CT-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR3045CT-1-M3 0,8379
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 ECAD 1546 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MBR3045 Schottky TO-262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 600 mV @ 15 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MBRB40100CT SMC Diode Solutions MBRB40100CT 1.6300
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB40100 Schottky D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v - 880 mV @ 20 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SX119H100S4PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division SX119H100S4PV -
RFQ
 ECAD 7237 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície Morrer SX119 Schottky Morrer - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 820 mV @ 15 a 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BAS21S-TP Micro Commercial Co BAS21S-TP 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 250 v 200Ma (DC) 1,1 V @ 100 Ma 50 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SDURF2030CTR SMC Diode Solutions SDURF2030CTR 0,9600
RFQ
 ECAD 936 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SDURF2030 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 300 v - 1,3 V @ 10 A 45 ns 30 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20100CTG onsemi MBR20100CTG -
RFQ
 ECAD 1890 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR20100 Schottky To-220 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MBR20100CTGOS Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 850 mV @ 10 A 100 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
RB480Y-40T2R Rohm Semiconductor RB480Y-40T2R -
RFQ
 ECAD 9442 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-75-4, SOT-543 RB480Y-40 Schottky EMD4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 40 v 200Ma 550 mV @ 100 Ma 10 µA A 40 V 125 ° C (Máximo)
NTST40120CTH onsemi NTST40120CTH -
RFQ
 ECAD 4462 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 NTST40 Schottky To-220 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 20a 910 mV @ 20 A 500 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BYV42E-200,127 WeEn Semiconductors BYV42E-2000.127 1.4300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 BYV42 Padrão TO-220AB download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 30a 1,2 V @ 30 A 28 ns 100 µA A 200 V 150 ° C (Máximo)
BAT54CW/6/ZLX NXP USA Inc. BAT54CW/6/ZLX -
RFQ
 ECAD 1090 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky SC-70 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade - 30 v 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 150 ° C (Máximo)
TSF30U100C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U100C 1.3038
RFQ
 ECAD 3038 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF30 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 740 mV @ 15 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAT54C/DG,215 NXP USA Inc. BAT54C/DG, 215 -
RFQ
 ECAD 4836 0,00000000 NXP USA Inc. Automotivo, AEC-Q101, BAT54 Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 30 v 200Ma (DC) 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 150 ° C (Máximo)
MBRP30060CT onsemi MBRP30060CT -
RFQ
 ECAD 3588 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Bandeja Obsoleto Montagem do chassi Powertap II MBRP3006 Schottky Powertap II download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MBRP30060CTOS Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 150a 790 mV @ 150 A 800 µA A 60 V
MEE250-12DA IXYS MEE250-12DA 82.6600
RFQ
 ECAD 167 0,00000000 Ixys Fred CAIXA Ativo Montagem do chassi Y4-M6 MEE250 Padrão Y4-M6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MEE25012DA Ear99 8541.10.0080 6 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1200 v 260a 1,8 V @ 260 A 500 ns 12 mA a 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MBRB20200CT-TP Micro Commercial Co MBRB20200CT-TP 1.7400
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB20200 Schottky D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 950 mV @ 10 A 50 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MD165K16D2-BP Micro Commercial Co MD165K16D2-BP 58.6800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem do chassi D2 MD165K16 Padrão D2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1600 v 165a 1,4 V @ 300 A 9 MA A 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
VS-12CWQ10FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ10FNHM3 2.5800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 12CWQ10 Schottky D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 75 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 6a 950 mV @ 12 A 1 ma @ 100 V 150 ° C (Máximo)
STTH60W02CW STMicroelectronics STTH60W02CW -
RFQ
 ECAD 2126 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 STTH60 Padrão To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-13403 Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 30a 1,15 V @ 30 A 30 ns 10 µA A 200 V 175 ° C (max)
MURF20010R GeneSiC Semiconductor MURF20010R -
RFQ
 ECAD 9889 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) MURF20010RGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 100a 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
ER2004CT_T0_00001 Panjit International Inc. ER2004CT_T0_00001 1.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 ER2004 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 3757-ER2004CT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 20a 1,3 V @ 10 A 50 ns 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MA4Z71300L Panasonic Electronic Components MA4Z71300L -
RFQ
 ECAD 1936 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos MA4Z713 Schottky Smini4-f1 download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 2 Independente 30 v 150mA (DC) 1 V @ 30 Ma 1 ns 1 µA a 30 V 125 ° C (Máximo)
VI30150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30150C-E3/4W 1.2727
RFQ
 ECAD 9338 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA VI30150 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 1,36 V @ 15 A 200 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-30CTQ060STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060STRL-M3 1.6800
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 ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 30CTQ060 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 620 mV @ 15 a 800 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
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