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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
80CNQ045A	-	RFQ	1391	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	D-61-8	80cnq	Schottky	D-61-8	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	40A	520 mV @ 40 A		5 mA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
SR3050PT C0G	-	RFQ	4903	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tubo	Descontinuado no sic	Através do buraco	To-247-3	SR3050	Schottky	TO-247AD (TO-3P)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	50 v	30a	700 mV @ 15 a		1 mA a 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MUR1620FCT	0,4250	RFQ	300	Tecnologia Yangjie	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada		Padrão	ITO-220AB	-	Rohs Compatível		Alcançar Não Afetado	4617-MUR1620FCTTR	Ear99		3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	16a	950 mV @ 8 A	35 ns	5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
SB01W05C-TB-E	0,1500	RFQ	45	Onsemi	*	Volume	Ativo						-	Não Aplicável	3 (168 Horas)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0070	3.000
TY093S200A6OU	-	RFQ	3288	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Montagem na Superfície	Morrer	TY093	Schottky	Morrer	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,6 V @ 10 A		150 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
Vs-vskc91/16	43.0100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Add-a-pak (3)	Vskc91	Padrão	Add-a-Pak®	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1600 v	50a			10 mA a 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
FST30050	-	RFQ	3731	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	Montagem do parafuso	TO-244AB		Schottky	To-244	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	50 v	150a	760 mV @ 200 a		4 mA a 50 V
MD100K08D1	18.1150	RFQ	1	Tecnologia Yangjie	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Módlo		Padrão	D1	-	Rohs Compatível		Alcançar Não Afetado	4617-MD100K08D1	Ear99		10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	800 v	100a	1,4 V @ 300 A		5 mA a 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
APT60D60LCTG	9.0900	RFQ	5071	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	TO-264-3, TO-264AA	APT60	Padrão	TO-264 [L]	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	60a	1,8 V @ 60 A	130 ns	250 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
QRC0630T30	-	RFQ	3429	Powerex Inc.	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	Módlo		Padrão	Módlo	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	4	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	100a	2,8 V @ 300 A	110 ns	1 mA a 600 V
MBR30100CT	0,5873	RFQ	1	Diotec Semiconductor	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3		Schottky	TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado	2796-MBR30100CT		8541.10.0000	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	15a	850 mV @ 15 a		50 µA A 100 V	-50 ° C ~ 175 ° C.
BAT54S	0,1200	RFQ	4	Semicondutor de Boa Coisa	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky	SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	30 v	200Ma	1 V @ 100 Ma	5 ns	2 µA A 25 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
Vskj320-16	-	RFQ	8829	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	3-MAGN-A-PAK ™	Vskj320	Padrão	Magn-a-Pak®	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	1600 v	320a			50 mA a 1600 V
STPS40M100CT	2.2600	RFQ	878	Stmicroelectronics	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	STPS40	Schottky	To-220	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	-497-8902-5	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	20a	780 mV @ 20 A		70 µA @ 100 V	150 ° C (Máximo)
MBR20H100CT	-	RFQ	9329	Onsemi	SwitchMode ™	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	MBR20H100	Schottky	To-220	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	MBR20H100CTOS	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	10a	770 mV @ 10 a		4,5 µA a 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
RBR30T60ANZC9	1.6600	RFQ	900	Rohm Semiconducor	-	Fita de Corte (CT)	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3	RBR30	Schottky	TO-220FN	download	ROHS3 Compatível	3 (168 Horas)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	15a	670 mV @ 15 A		600 µA A 60 V	150 ° C.
MSCDC450A70AG	389.1000	RFQ	2	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo	Montagem do chassi	Módlo	MSCDC450	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	Sp6	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	150-MSCDC450A70AG	Ear99	8541.10.0080	3	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	700 v	450a	1,8 V @ 450 A	0 ns	1,8 mA a 700 V	-40 ° C ~ 175 ° C.
ST60100C	1.5700	RFQ	946	Soluções de diodo SMC	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	ST60100	Schottky	TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	-	900 mV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MA3X786E0L	-	RFQ	6419	Componentes eletrônicos da Panasonic	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MA3X786	Schottky	Mini3-G1	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par cátodo comum	30 v	100mA	550 mV @ 100 Ma	2 ns	15 µA a 30 V	125 ° C (Máximo)
MBR30L45CT	0,8745	RFQ	8535	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	MBR30	Schottky	TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	30a	550 mV @ 15 A		400 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
HTZ180D35K	-	RFQ	3721	Ixys	Htz180d	CAIXA	Ativo	Montagem do chassi	Módlo	HTZ180	Padrão	Módlo	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	35000 v	1.3a	22 V @ 2 A		500 µA @ 35000 V
MBRD650CTG	-	RFQ	1892	Onsemi	SwitchMode ™	Tubo	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	MBRD650	Schottky	DPAK	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	75	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	50 v	3a	700 mv @ 3 a		100 µA a 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
MBR2535CT	-	RFQ	7626	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	MBR2535	Schottky	To-220-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	35 v	15a	820 mV @ 30 A		200 µA A 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
VS-30CTQ080STRLPBF	-	RFQ	9866	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	30CTQ080	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vs30ctq080strlpbf	Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	80 v	15a	860 mV @ 15 A		550 µA A 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
30CTQ045-1	-	RFQ	8755	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	30ctq	Schottky	TO-262-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	15a	620 mV @ 15 a		2 mA a 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
301CNQ050	-	RFQ	6981	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	TO-244AB	301cnq	Schottky	TO-244AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	*301CNQ050	Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	50 v	300A	900 mV @ 300 A		10 mA a 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
IRKD56/12A	-	RFQ	7238	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	Add-a-pak (3)	IRKD56	Padrão	Add-a-Pak®	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1200 v	60a			10 mA a 1200 V
MUR1620CTG	2.0100	RFQ	8768	Onsemi	SwitchMode ™	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	MUR1620	Padrão	To-220	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	8a	975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
Mur1620Cth	-	RFQ	5462	Onsemi	-	Bandeja	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	Mur16	Padrão	To-220	-	ROHS3 Compatível	Fornecedor indefinido	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	8a	975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA A 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
APT60DQ60BCTG	4.2700	RFQ	2	Microchip Technology	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3	APT60	Padrão	To-247 [b]	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	60a	2,4 V @ 60 A	35 ns	25 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.

2000+
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