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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAV70W/MIF | - | ![]() | 6737 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bav70 | Padrão | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934068909135 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 100 v | 175mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |
![]() | S4KW6C-3D | - | ![]() | 7893 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | S4KW6 | - | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | - | 6000 v | 6a | 6 V @ 12 A | 2 µs | 4 µA A 6000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Ss8p3chm3_a/h | 0,2714 | ![]() | 9786 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Ss8p3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 4a | 580 mV @ 4 a | 300 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | RB095BM-60FHTL | 0,9700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RB095 | Schottky | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 6a | 580 mV @ 3 a | 8.3 ns | 300 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | V20120CHM3/4W | - | ![]() | 7070 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | V20120 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 8 µA A 90 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
STPS40120CTN | - | ![]() | 3825 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | STPS401 | Schottky | TO-220AB Labros Estrutos | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 20a | 1 V @ 40 A | 25 µA A 120 V | 175 ° C (max) | ||||
![]() | SCS220KE2C | - | ![]() | 5105 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | SCS220 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 10a (DC) | 1,6 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | ||
![]() | 286-805 | 44.6900 | ![]() | 1208 | 0,00000000 | Wago Corporation | - | CAIXA | Ativo | SOQUETE | Módlo | 286-8 | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1000 v | 1a | -25 ° C ~ 40 ° C. | ||||||
![]() | MBR2X100A200 | 50.2485 | ![]() | 8518 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X100 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 100a | 920 mV @ 100 A | 3 ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Bas28.235 | 0,4000 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | Bas28 | Padrão | SOT-143B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 75 v | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | Bas21c-tp | 0,1500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas21 | Padrão | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 250 v | 200Ma (DC) | 1,1 V @ 100 Ma | 50 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | SBRT20U100CT | - | ![]() | 2420 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101, Trenchsbr | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBRT20 | Super Barreira | TO-263AB (D²PAK) | download | 1 (ilimito) | 31-SBRT20U100CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 690 mV @ 10 A | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | VS-63CTQ100PBF | - | ![]() | 3202 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | 63CTQ100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 820 mV @ 30 A | 300 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | BAV99QCZ | 0,2600 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 3-XDFN PAD EXPOSTO | Bav99 | Padrão | DFN1412D-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 100 v | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | MDD950-20N1W | - | ![]() | 1507 | 0,00000000 | Ixys | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | MDD950 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 2000 v | 950A | 880 mV @ 500 A | 18 µs | 50 mA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBR4060PT | - | ![]() | 4744 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR4060 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 40A | 720 mV @ 20 A | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-30CTH02FPPBF | - | ![]() | 5920 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | 30CTH02 | Padrão | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 15a | 1,05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBR10L100CTHC0G | - | ![]() | 8519 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR10 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 850 mV @ 10 A | 20 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
BAS40W-06-7-F | 0,4000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas40 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 40 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | VS-25CTQ045-M3 | 1.6900 | ![]() | 8203 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 25ctq045 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 710 mV @ 30 A | 1,75 mA a 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRB20150CT-13 | 0,7800 | ![]() | 786 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20150 | Schottky | To-263 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | SFF506GH | 0,5843 | ![]() | 5309 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF506 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF506GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 5a | 1,3 V @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | DD241S12KKHPSA1 | - | ![]() | 3331 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 261a | 1,55 V @ 800 A | 200 mA a 1200 V | 150 ° C. | |||||
![]() | DD89N08KKHPSA1 | - | ![]() | 7092 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo Pow-R-Blok ™ | Padrão | Módlo Pow-R-Blok ™ | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 800 v | 89a | 1,5 V @ 300 A | 20 mA a 800 V | 150 ° C. | |||||
![]() | SDB20S30 | - | ![]() | 1640 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SDB20 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-3-45 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 300 v | 10a (DC) | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | DD241S14KKHPSA1 | - | ![]() | 9454 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1400 v | 261a | 1,55 V @ 800 A | 200 mA A 1400 V | 150 ° C. | |||||
![]() | MUR620CTG | 0,9900 | ![]() | 444 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Mur620 | Padrão | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 3a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | 2954934 | 292.8400 | ![]() | 7339 | 0,00000000 | Contato de Phoenix | - | Volume | Ativo | Din Rail | Módlo | 29549 | Padrão | Módlo | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 32 ânodo comum | 1300 v | - | 5 µA A 1300 V | -20 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Sbl2060pt | - | ![]() | 9641 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | SBL2060 | Schottky | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 750 mv @ 10 a | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Sbl2045ct | - | ![]() | 8399 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | SBL2045 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Sbl2045ctdi | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 550 mV @ 10 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. |
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