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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR1650FCT_T0_00001 | 0,3537 | ![]() | 9489 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MBR1650 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR1650FCT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 16a | 750 mv @ 8 a | 50 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
SCS220AE2HRC11 | 9.5000 | ![]() | 238 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SCS220 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247n | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-SCS220AE2HRC11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 650 v | 10a (DC) | 1,55 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA A 600 V | 175 ° C. | ||
![]() | MSCDC150A120D1PAG | 199.9800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | MSCDC150 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D1p | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCDC150A120D1PAG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 150a | 1,8 V @ 150 A | 0 ns | 600 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | PC201FKN6 | - | ![]() | 4115 | 0,00000000 | Kyocera Avx | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 105 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 600 v | 200a | 1,4 V @ 200 A | 110 ns | 10 mA a 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SR3040PT | 1.6215 | ![]() | 9219 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SR3040 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 30a | 550 mV @ 15 A | 1 mA a 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | MBRF3080CT | 1.0494 | ![]() | 3288 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF3080 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 30a | 940 mV @ 30 A | 200 µA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | 80CNQ035SM | 14.3949 | ![]() | 7415 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Prm2-sm | 80cnq | Schottky | Prm2-sm | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 80CNQ035SMSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 48 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 40A | 660 mV @ 40 A | 5 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBRTA50030R | - | ![]() | 3671 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 250a | 700 mV @ 250 A | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | Bas70-05 | 0,1500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 70 v | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 200 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||
![]() | MBR30L60CTG | 1.7700 | ![]() | 158 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR30L60 | Schottky | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 620 mV @ 15 a | 350 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SFF10L06GAH | 0,4385 | ![]() | 3428 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF10L06 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF10L06GAH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | 10a | 1,3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | Pkmbr845rl | 1.0000 | ![]() | 4563 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||
![]() | V10dm150chm3/i | 1.1500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V10DM150 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 5a | 1,15 V @ 5 A | 100 µA A 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | SBT2535A | 62.1000 | ![]() | 3943 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | SBT2535 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-SBT2535A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 35 v | 25a | 580 mV @ 25 A | 2 mA a 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | APT2X20DC120J | - | ![]() | 7808 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Apt2x20 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | SOT-227 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 2 Independente | 1200 v | 20a | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | DD171N12KAHPSA2 | 191.5900 | ![]() | 2078 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | DD171N | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DD171N12 | Padrão | - | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 171a | 1,26 V @ 500 A | 20 mA a 1200 V | 150 ° C. | ||||
![]() | RBR20T30ANZC9 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RBR20 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RBR20T30ANZC9CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 10a | 550 mV @ 10 A | 200 µA a 30 V | 150 ° C. | ||
![]() | Ss8p4chm3_a/h | 0,2714 | ![]() | 3525 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS8P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 4a | 580 mV @ 4 a | 300 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-MBRB2080CTGTRLP | - | ![]() | 6078 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | VSMBRB2080CTGTRLP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
STPS30170CT | - | ![]() | 1647 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | STPS30170 | Schottky | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-4825-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 170 v | 15a | 920 mV @ 15 a | 20 µA A 170 V | 175 ° C (max) | |||
![]() | MBRF10L100CT | - | ![]() | 6373 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF10 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 850 mV @ 10 A | 20 mA a 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MF400K06F3 | 22.3790 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módulo F3 | Padrão | F3 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MF400K06F3 | Ear99 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 200a | 1,25 V @ 200 A | 130 ns | 1 mA a 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBR1090CTHC0G | - | ![]() | 8902 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR1090 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a | 950 mV @ 10 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | BAV99SE6433HTMA1 | - | ![]() | 7794 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bav99 | Padrão | PG-SOT363-PO | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | Conexão de 2 Pares da Série | 80 v | 200Ma (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 Na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | BAT64-05B5000 | - | ![]() | 3305 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT64 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 40 v | 120mA | 750 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 30 V | 150 ° C. | ||
![]() | DURF1040CT | 1.7600 | ![]() | 3324 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | DURANTE | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | DURF1040 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 5a | 1,3 V @ 5 A | 45 ns | 30 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | FST6320M | - | ![]() | 1756 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 30a | 700 mV @ 30 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | RBR20T60ANZC9 | 1.6300 | ![]() | 839 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RBR20 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 640 mV @ 10 A | 400 µA A 60 V | 150 ° C. | |||
![]() | MBRS10100CTHMNG | - | ![]() | 5783 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS10100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 950 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | RURG3060CC-F085 | - | ![]() | 6082 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | To-247 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 30a | 1,5 V @ 30 A | 80 ns | 250 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. |
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