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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-63CTQ100PBF | - | ![]() | 3202 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | 63CTQ100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 820 mV @ 30 A | 300 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | V10KM150CHM3/H. | 0,3666 | ![]() | 4181 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-V10KM150CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 3.5a | 1,08 V @ 5 A | 200 µA A 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | MP2-202S | 2.2495 | ![]() | 8404 | 0,00000000 | Sanken | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MP2-202 | Padrão | To-220s | download | Rohs Compatível | 1261-MP2-202S | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 980 mV @ 20 A | 50 ns | 200 µA a 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MD100A18D1 | 18.1150 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | D1 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MD100A18D1 | Ear99 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1800 v | 100a | 1,4 V @ 300 A | 5 mA @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBR20100CT-E1 | - | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 850 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
MSKD165-16 | - | ![]() | 4114 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D2 | Padrão | SD2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1600 v | 165a | 1,4 V @ 300 A | 9 MA A 1600 V | |||||||
![]() | RBQ10T65ANZC9 | 1.1600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RBQ10 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 65 v | 10a | 690 mV @ 5 A | 70 µA A 65 V | 150 ° C. | |||
![]() | VBT1045CBP-M3/4W | 0,7192 | ![]() | 3585 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT1045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 5a | 580 mV @ 5 A | 500 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SF2004GH | 0,7569 | ![]() | 8019 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF2004 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SF2004GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 975 mV @ 10 A | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBR16100CT_T0_00001 | 0,3537 | ![]() | 9918 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR16100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR16100CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 16a | 800 mv @ 8 a | 50 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBR30200PT-BP | 2.0700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | To-247-3 | MBR30200 | Schottky | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-MBR30200PT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 30a | 900 mV @ 15 A | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | SR1660H | 0,5794 | ![]() | 2052 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR1660 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SR1660H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 16a | 700 mv @ 8 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | V10d120chm3/i | 0,5458 | ![]() | 1734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V10d120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 5a | 940 mV @ 5 A | 500 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Sdur6060wt | 2.5600 | ![]() | 128 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SDUR6060 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 1655-1202 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | - | 1,8 V @ 30 A | 50 ns | 250 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |
![]() | DD700N22KXPSA1 | 342.0400 | ![]() | 2387 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | - | BG-PB60E2A-1 | download | ROHS3 Compatível | 448-DD700N22KXPSA1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 2200 v | 700A | 1,36 V @ 2200 A | 40 mA a 2,2 kV | 150 ° C. | |||||
![]() | Cmld2838 tr | - | ![]() | 4506 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | Padrão | SOT-563 | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par cátodo comum | 75 v | 200Ma | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | DD600N18KB1HPSA1 | - | ![]() | 3297 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Última Vez compra | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | BG-PB60AT-1 | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1800 v | 600A | 1,32 V @ 1,8 ka | 40 mA @ 1800 V | 150 ° C. | |||||||
![]() | U30BCT-E3/4W | - | ![]() | 7987 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | U30 | Padrão | To-220-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 1,05 V @ 15 A | 45 ns | 20 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MUR605CT-BP | - | ![]() | 8942 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | To-220-3 | Mur605 | Padrão | TO-220AB | - | 353-MUR605CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | Puad6dch | 0,8700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Puad6 | Padrão | Thindpak | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 6a | 950 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | SF3004PTH | 2.0271 | ![]() | 7767 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF3004 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SF3004PTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 30a | 950 mV @ 15 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MSCDC200A170D1PAG | 464.5333 | ![]() | 3432 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | MSCDC200 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D1p | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCDC200A170D1PAG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1700 v | 200a | 1,8 V @ 200 A | 0 ns | 800 µA @ 1700 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | MBRD20150CTH-TP | 0,6095 | ![]() | 6161 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD20150 | Schottky | D-Pak | download | 353-MBRD20150CTH-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 850 mV @ 10 A | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | CDST-2004S-HF | - | ![]() | 5086 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CDST-2004 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CDST-2004S-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 240 v | 225mA (DC) | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | JAN1N57111BD/TR | 84.9900 | ![]() | 8751 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | Schottky | Ub | - | 150-JAN1N5711UBD/TR | 100 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | 286-805 | 44.6900 | ![]() | 1208 | 0,00000000 | Wago Corporation | - | CAIXA | Ativo | SOQUETE | Módlo | 286-8 | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1000 v | 1a | -25 ° C ~ 40 ° C. | ||||||
![]() | BD680CS_L2_00001 | 0,2430 | ![]() | 3783 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | BD680 | Schottky | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 6a | 800 mv @ 3 a | 50 µA A 80 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | Cmeda-6i bk | - | ![]() | 2096 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOT-28 | Padrão | SOT-28 | download | 1514-CMedA-6ibk | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 4 Independente | 60 v | 250mA (DC) | 1 V @ 10 Ma | 100 ns | 25 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Fepf16bthe3_a/p | - | ![]() | 3694 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | FEPF16 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 8a | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | V30d100c-m3/i | 0,7351 | ![]() | 9823 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V30D100 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-V30D100C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 820 mV @ 10 A | 500 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. |
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