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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
111CNQ045A | - | ![]() | 2106 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D-61-8 | 111CNQ045 | Schottky | D-61-8 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 55a | 610 mV @ 55 A | 1,5 mA a 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | TSF10H120C | 0,9390 | ![]() | 2294 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSF10 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 5a | 740 mV @ 5 A | 100 µA A 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRB20100CT-13 | 0,7900 | ![]() | 172 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB20100 | Schottky | To-263 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 840 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | STPS41H100CG | 1.9900 | ![]() | 5279 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STPS41 | Schottky | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 800 mV @ 20 A | 10 µA A 100 V | 175 ° C (max) | |||
![]() | BAT54CW-AU_R1_000A1 | 0,2400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-BAT54CW-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 30 v | 200Ma | 600 mV @ 100 Ma | 2 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||
![]() | MSCDC150A70D1PAG | 153.6500 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | MSCDC150 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | D1p | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCDC150A70D1PAG | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 700 v | 150a | 1,8 V @ 150 A | 0 ns | 600 µA @ 700 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | MUR620CTG | 0,9900 | ![]() | 444 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Mur620 | Padrão | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 3a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBRF10100CTL | 1.8400 | ![]() | 751 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | Mbr | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF1010 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 5a | 850 mv @ 5 a | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | RB088BM-60TL | 1.0900 | ![]() | 310 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RB088 | Schottky | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 830 mv @ 5 a | 3 µA A 60 V | 150 ° C. | |||
![]() | VS-30CTQ080STRL-M3 | 0,9526 | ![]() | 4581 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 30CTQ080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 15a | 860 mV @ 15 A | 550 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | BAS70-05B5000 | 0,0300 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | PG-SOT23-3-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 70 v | 70mA (DC) | 1 V @ 15 mA | 100 Na @ 50 V | 150 ° C. | |||
![]() | RURD1540 | - | ![]() | 6602 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | Avalanche | TO-218 ISOLADO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 15a | 1,25 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | 681-2 | 280.3200 | ![]() | 1743 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Nd | 681-2 | Padrão | Nd | download | Alcançar Não Afetado | 150-681-2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 Independente | 200 v | 15a | 1,2 V @ 10 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | VS-61CTQ035-M3 | 1.5025 | ![]() | 9720 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 61CTQ035 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a | 760 mV @ 60 A | 1 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | SR30150PT C0G | - | ![]() | 6647 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SR30150 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 30a | 1 V @ 15 A | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | DSEP2X61-12A | 49.5000 | ![]() | 121 | 0,00000000 | Ixys | Hiperfred ™ | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | DSEP2X61 | Padrão | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DSEP2X6112A | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1200 v | 60a | 2,42 V @ 60 A | 40 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |
![]() | MBRT300150R | 107.3070 | ![]() | 4645 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MBRT300150 | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 150 v | 150a | 880 mV @ 150 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBR3035CT | - | ![]() | 8306 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | TO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBR3035CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a (DC) | 820 mV @ 30 A | 200 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR30100CT-E1 | - | ![]() | 1195 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 850 mV @ 15 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBR2X030A100 | 45.3800 | ![]() | 8002 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X030 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1298 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 100 v | 60a | 840 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR3030PT | - | ![]() | 8322 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | MBR3030 | Schottky | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 30a | 760 mV @ 30 A | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR1060CT-E1 | - | ![]() | 9403 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | MBR106 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 100 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | MBRF20H200CT-E3/45 | - | ![]() | 4325 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF20 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 880 mV @ 10 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | DD800S17H4B2BOSA2 | 848.2600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DD800S17 | Padrão | AG-IHMB130-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1700 v | - | 2,1 V @ 800 A | 900 A @ 900 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
STPS30M60CG-TR | - | ![]() | 3795 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STPS30 | Schottky | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 590 mV @ 15 A | 80 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
MSCD200-16 | - | ![]() | 4267 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D2 | Padrão | SD2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1600 v | 200a | 1,3 V @ 300 A | 9 MA A 1600 V | |||||||
![]() | MMBD3004CC RFG | 0,0616 | ![]() | 3027 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD3004 | Padrão | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 350 v | 225mA | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 350 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBRTA50060R | - | ![]() | 4787 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 60 v | 250a | 750 mV @ 250 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | F1892CAD1200 | 153.9550 | ![]() | 2414 | 0,00000000 | Sensata-Crydom | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1200 v | 90A (DC) | 1,4 V @ 270 A | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||
![]() | Sdhn5ks | - | ![]() | 5674 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Módlo | Sdhn5 | - | - | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | - | 5000 v | 2.5a | 6 V @ 3 A | 2 µs | 1 µA @ 5000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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