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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-6CSH02HM3/87A | 0,3513 | ![]() | 8631 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 6csh02 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 3a | 940 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | MBR10200CT | 0,5302 | ![]() | 9686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR1020 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 980 mV @ 10 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-6CWQ03FNTRRPBF | - | ![]() | 1345 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 6CWQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 3.5a | 350 mv @ 3 a | 2 mA a 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR2X100A150 | 50.2485 | ![]() | 4318 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X100 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 150 v | 100a | 880 mV @ 100 A | 3 ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MURSD1660CTA-TP | 0,4528 | ![]() | 3311 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MURSD1660 | Padrão | DPAK (TO-252) | download | 353-MURSD1660CTA-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 16a | 1,6 V @ 8 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | 6CWQ06FNTRR | - | ![]() | 4443 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 6CWQ06 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 3.5a | 610 mV @ 3 a | 2 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRF60030R | - | ![]() | 1325 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 300A (DC) | 650 mV @ 300 A | 10 mA a 20 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | Sblb1640cthe3_b/i | 1.6100 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBLB1640 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 8a | 550 mV @ 8 a | 500 µA A 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | MBR10200CTC0 | - | ![]() | 9745 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR1020 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 980 mV @ 10 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SCDAS15FF | - | ![]() | 5609 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Módlo | SCDAS15 | - | - | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | - | 150 v | 21.25a | 970 mV @ 30 A | 30 ns | 60 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR4060PT-E3/45 | 2.6200 | ![]() | 545 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | MBR4060 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 720 mV @ 20 A | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | UFB200FA20 | - | ![]() | 9093 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | UFB200 | Padrão | SOT-227 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 120A (DC) | 1,1 V @ 120 A | 45 ns | 50 µA A 200 V | |||
![]() | MBR3060CT | 0,9495 | ![]() | 6555 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR3060 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 30a | 770 mV @ 15 A | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Murta60040r | 188.1435 | ![]() | 1280 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Murta60040 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Murta60040rgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | 300A | 1,5 V @ 300 A | 220 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBRS10100CTHMNG | - | ![]() | 5783 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS10100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 950 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRL60100CT-BP | 1.1151 | ![]() | 3508 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBRL60100 | Schottky | TO-220AB | download | 353-MBRL60100CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 60a | 790 mV @ 30 A | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VS-6CWQ10FNPBF | - | ![]() | 1121 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 6CWQ10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 3.5a | 810 mV @ 3 a | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | RB238T100NZC9 | 2.7600 | ![]() | 864 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | RB238 | Schottky | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 40A | 860 mV @ 20 A | 20 µA A 100 V | 150 ° C. | |||
![]() | Bas40-04/zlr | - | ![]() | 2705 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 120mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | MBR3035PT | 0,7330 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Schottky | To-247 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-MBR3035PT | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 35 v | 30a | - | |||||
![]() | MURF20020R | - | ![]() | 3405 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | 1 (ilimito) | MURF20020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 100a | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | RBQ10BGE45ATL | 1.4500 | ![]() | 991 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RBQ10 | Schottky | TO-252GE | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 650 mV @ 5 A | 70 µA @ 45 V | 150 ° C (Máximo) | |||
![]() | NTSJ3080CTG | - | ![]() | 2977 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | NTSJ30 | Schottky | Pacote completo parágrafo 220-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 15a | 850 mV @ 15 a | 700 µA A 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VIT3060C-E3/4W | 0,6326 | ![]() | 6685 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Vit3060 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VIT3060C-E3/4WGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 700 mV @ 15 a | 1,2 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | BAV199S_R1_00001 | 0,1600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV199 | Padrão | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | Conexão de 2 Pares da Série | 75 v | 200Ma (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | PN411611 | - | ![]() | 2486 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo Pow-R-Blok ™ | Padrão | Módlo Pow-R-Blok ™ | download | Rohs Compatível | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 1600 v | 1200A | 1,25 V @ 3000 A | 22 µs | 200 mA a 1600 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBRF1535CTHE3/45 | - | ![]() | 4098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF15 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 7.5a | 570 mV @ 7.5 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SBG1040CT-F | - | ![]() | 3475 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBG1040CT | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SBG1040CT-FDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 10a | 550 mV @ 5 A | 1 mA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||
![]() | 1S953-T4 | 0,1000 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | 1S95 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SFF1008GHC0G | - | ![]() | 3653 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1008 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a (DC) | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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