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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
V60dm63chm3/i	2.8700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Fita de Corte (CT)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante	V60dm63	Schottky	TO-263AC (SMPD)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado				2.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	30a	700 mV @ 30 A		55 µA A 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C.
Vs-vskc270-12pbf	201.1700	RFQ	4367	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Int-a-pak	Vskc270	Padrão	Int-a-pak	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskc27012pbf	Ear99	8541.10.0080	2	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1200 v	135a			50 mA A 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
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BAT54ADW_R1_00001	0,0513	RFQ	3522	Panjit International Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAT54	Schottky	SOT-363	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	4.002.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	2 par ânodo comum	30 v	200Ma (DC)	600 mV @ 100 Ma		2 µA A 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C.
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UG8HCT-E3/45	-	RFQ	4603	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	Ug8	Padrão	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	500 v	4a	1,75 V @ 4 a	50 ns	30 µA a 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
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2000+
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Unidade de produto padrão
2800+
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Matriza de Diodo (16722)

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30.000.000

2800+

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