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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VB60100CHM3/i | - | ![]() | 8063 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VB60100 | Schottky | TO-263AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 790 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VS-8CSH01HM3/87A | 0,4146 | ![]() | 2775 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | 8csh01 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 4a | 950 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | DD104N16KKHPSA1 | - | ![]() | 7293 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo Pow-R-Blok ™ | DD104N16 | Padrão | Módlo Pow-R-Blok ™ | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1600 v | 104a | 1,4 V @ 300 A | 20 mA a 1600 V | 150 ° C. | |||
![]() | MF100A06F1 | 21.2750 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | F1 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MF100A06F1 | Ear99 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 600 v | 100a | 1,4 V @ 100 A | 105 ns | 50 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | VS-43CTQ100HN3 | 1.6833 | ![]() | 7378 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 43CTQ100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 810 mV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | BAT54A-DEL-E3-18 | - | ![]() | 8904 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | BAT54 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | - | - | - | - | |||||||
![]() | VS-12CWQ03FNTLPBF | - | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 12CWQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 6a | 470 mV @ 6 A | 3 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SBR3045CTB-13-G | - | ![]() | 9152 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBR3045 | Super Barreira | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-SBR3045CTB-13-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 15a | 700 mV @ 15 a | 300 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | SK2060CD2R | 0,7534 | ![]() | 6154 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SK2060 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SK2060CD2RTR | 8541.10.0000 | 24.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 700 mv @ 10 a | 300 µA A 60 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | RHRP6120CC | 0,8100 | ![]() | 7094 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Avalanche | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 310 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 6a | 3,2 V @ 6 A | 65 ns | 100 µA A 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | MURT10040 | 93.0525 | ![]() | 3771 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MURT10040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 50a | 1,35 V @ 50 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | Nrvub1660ctt4g | 3.7200 | ![]() | 4586 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | NRVUB1660 | Padrão | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 8a | 1,5 V @ 8 A | 60 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||
FERD40M45CT | 1.9300 | ![]() | 998 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Ferd40 | FERD (Retificador Diodo de Efeito de Campo) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 500 mV @ 20 A | 650 µA @ 45 V | 175 ° C (max) | ||||
![]() | SBF2040CT | - | ![]() | 9892 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBF2040 | Schottky | ITO-220AB | download | 31-SBF2040CT | Obsoleto | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 20a | 550 mV @ 10 A | 400 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||
![]() | MUR20005CTR | - | ![]() | 1360 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR20005CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 50 v | 100a | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBRL20200FCT | 0,5030 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRL20200FCTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 20a | 880 mV @ 10 A | 50 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBR4035PT C0G | - | ![]() | 6700 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR4035 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 40A | 800 mV @ 40 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | NSVM1MA152WAT1G | 0,0456 | ![]() | 8160 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NSVM1 | Padrão | SC-59 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 80 v | 100mA (DC) | 1,2 V @ 100 Ma | 10 ns | 100 Na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||
![]() | HER1601G C0G | - | ![]() | 5189 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | HER1601 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 16a | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | BAV170M315 | 0,0200 | ![]() | 480 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SBRF10200CT | 0,2393 | ![]() | 4210 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBRF10200 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SBRF10200CTSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | - | 980 mV @ 5 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
MBRL40U60CT-BP | 1.8300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBRL40 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-MBRL40U60CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 40A | 560 mV @ 20 A | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | F1827CAD600 | - | ![]() | 7308 | 0,00000000 | Sensata-Crydom | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 600 v | 25a (DC) | 1,55 V @ 75 A | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||
![]() | BAV70LT3G | 0,1400 | ![]() | 72 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bav70 | Padrão | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 100 v | 200Ma (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2,5 µA A 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||
![]() | MBR40300CTH-BP | 1.0914 | ![]() | 2389 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR40300 | Schottky | TO-220AB | download | 353-MBR40300CTH-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 40A | 1,3 V @ 20 A | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | MBRL10150FCT-BP | - | ![]() | 8483 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | Guia Isolada parágrafo 220-3 | MBRL10150 | Schottky | ITO-220AB | - | 353-MBRL10150FCT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 900 mV @ 5 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | JANS1N6842U3 | 363.6150 | ![]() | 1227 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/680 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N6842 | Schottky | U3 (SMD-0.5) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N6842U3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 780 mV @ 10 a | 50 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | MBR1620FCT-BP | 0,3750 | ![]() | 1539 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Através do buraco | Guia Isolada parágrafo 220-3 | MBR1620 | Schottky | ITO-220AB | download | 353-MBR1620FCT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 16a | 550 mV @ 8 a | 500 µA A 20 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | |||||
![]() | MBRT120100 | 75.1110 | ![]() | 8632 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT120100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 60a | 880 mV @ 60 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | RFN6T2DNZC9 | 1.6900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Rfn6 | Padrão | TO-220FN | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RFN6T2DNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 6a | 980 mV @ 3 a | 25 ns | 10 µA A 200 V | 150 ° C. |
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