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Produtos semicondutores discretos (1252)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IRG4PH20KDPBF	-	Solicitação de cotação	4020	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		60W	TO-247AC	download					EAR99	8542.39.0001	1			800V, 5A, 50Ohm, 15V											51 ns	-	1200 V	11A	22A	4,3V a 15V, 5A	620 µJ (ligado), 300 µJ (desligado)	28 nC	50ns/100ns
IRFAF20	3.5700	Solicitação de cotação	620	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-204AA (TO-3)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8542.39.0001	85		Canal N		900V	1,6A	-	-	-		-		-	50W
IRGPS40B120UPBF	5.4700	Solicitação de cotação	6	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-274AA		padrão		595 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1			600 V, 40 A, 4,7 Ohm, 15 V												TNP	1200 V	80A	160A	3,71V a 15V, 50A	1,4mJ (ligado), 1,65mJ (desligado)	340nC	-
AUIRF7738L2TR	-	Solicitação de cotação	2891	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	DirectFET™ Isométrica L6			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET L6	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	35A (Ta), 130A (Tc)	10V	1,6mOhm a 109A, 10V	4 V a 250 µA	194 nC @ 10 V	±20V	7471 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 94 W (Tc)
AUIRFS4310Z-IR	-	Solicitação de cotação	3519	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		100 V	120A (Tc)		6mOhm @ 75A, 10V	4 V a 150 µA	170 nC @ 10 V	±20V	6860 pF a 50 V	-	250W (Tc)
IRGB30B60KPBF	1.0000	Solicitação de cotação	2503	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		370 W	PARA-220AB	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 30A, 10Ohm, 15V												TNP	600 V	78A	120A	2,35V a 15V, 30A	350 µJ (ligado), 825 µJ (desligado)	102nC	46ns/185ns
AUIRF7379QTR	-	Solicitação de cotação	8698	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	AUIRF7379		MOSFET (óxido metálico)	2,5W	8-SOIC	download					EAR99	8541.29.0095	1	Canal N e P			30V	5,8A, 4,3A		45mOhm @ 5,8A, 10V	3 V a 250 µA	25nC @ 10V		520pF a 25V	Portão de nível lógico
IRFAE30	1.0000	Solicitação de cotação	9399	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									-	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1
IRLR3802PBF	0,4800	Solicitação de cotação	8	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		TO-252AA	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		12V	84A (Tc)		8,5mOhm a 15A, 4,5V	1,9 V a 250 µA	41 nC @ 5 V	±12V	2.490 pF a 6 V	-	88W (Tc)
AUIRF4104S	1.4900	Solicitação de cotação	9	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	75A (Tc)	10V	5,5mOhm a 75A, 10V	4 V a 250 µA	100 nC @ 10 V	±20V	3000 pF a 25 V	-	140W (Tc)
IRF6724MTRPBF	1.0000	Solicitação de cotação	3114	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	MX isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET™MX	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		30 V	27A (Ta), 150A (Tc)	4,5V, 10V	2,5mOhm a 27A, 10V	2,35 V a 100 µA	54 nC @ 4,5 V	±20V	4404 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IRGS4B60KD1TRLP	0,8000	Solicitação de cotação	1168	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IRGS4B60	padrão		63 W	D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	8542.39.0001	266			400V, 4A, 100Ohm, 15V											93 ns	TNP	600 V	11A	22A	2,5V a 15V, 4A	73 µJ (ligado), 47 µJ (desligado)	12nC	22ns/100ns
2N6763	2.5900	Solicitação de cotação	7858	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-3	download					EAR99	8541.29.0095	24		Canal N		60 V	31A (Tc)	10V	80mOhm a 20A, 10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pF a 25 V	-	150 W
IRG4BC30WPBF	1.3900	Solicitação de cotação	658	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		100W	PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 12A, 23Ohm, 15V												-	600 V	23A	92A	2,7V a 15V, 12A	130 µJ (ligado), 130 µJ (desligado)	51nC	25ns/99ns
AUIRF3808STRL	-	Solicitação de cotação	6744	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		75 V	140A (Tc)		7mOhm @ 82A, 10V	4 V a 250 µA	220 nC @ 10 V	±20V	5310 pF a 25 V	-	330W (Tc)
IRGP6630D-EPBF	2.1600	Solicitação de cotação	937	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		192W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25			400V, 18A, 22Ohm, 15V											70 ns	-	600 V	47A	54A	1,95V a 15V, 18A	75 µJ (ligado), 350 µJ (desligado)	30 nC	40ns/95ns
AUIRFZ46NL	-	Solicitação de cotação	1289	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		55 V	39A (Tc)	10V	16,5mOhm a 28A, 10V	4 V a 250 µA	72 nC @ 10 V	±20V	1696 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 107 W (Tc)
IRFAUIRF3805S	-	Solicitação de cotação	6345	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo									download					EAR99	8541.29.0095	1
IRG4PC50UD-EPBF	1.0000	Solicitação de cotação	2113	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		200 W	TO-247AC	download	Não aplicável	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 27A, 5Ohm, 15V											50 ns	-	600 V	55A	220A	2V a 15V, 27A	990 µJ (ligado), 590 µJ (desligado)	180nC	46ns/140ns
IRG7PG35UPBF	2.5700	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		210 W	TO-247AC	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 20A, 10Ohm, 15V												Trincheira	1000V	55A	60A	2,2 V a 15 V, 20 A	1,06mJ (ligado), 620µJ (desligado)	85nC	30ns/160ns
IRG4BC30FD1PBF	1.9000	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		100W	PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 17A, 23Ohm, 15V											46 ns	-	600 V	31A	124A	1,8V a 15V, 17A	370 µJ (ligado), 1,42 mJ (desligado)	57nC	22ns/250ns
AUIRGS30B60K	1.0000	Solicitação de cotação	8852	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo				AUIRGS30					download		Fornecedor indefinido	REACH afetado	2156-AUIRGS30B60K-600047			1
IRF6795MTRPBF	1.1300	Solicitação de cotação	36	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	MX isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET™MX	download					EAR99	8541.29.0095	267		Canal N		25 V	32A (Ta), 160A (Tc)	4,5V, 10V	1,8mOhm a 32A, 10V	2,35 V a 100 µA	53 nC @ 4,5 V	±20V	4280 pF a 13 V	-	2,8 W (Ta), 75 W (Tc)
IRF2804LPBF	-	Solicitação de cotação	9475	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA	IRF2804		MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		40 V	75A (Tc)		2,3mOhm a 75A, 10V	4 V a 250 µA	240 nC @ 10 V		6.450 pF a 25 V	-	300W (Tc)
IRFS4615TRLPBF	-	Solicitação de cotação	5625	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download						0000.00.0000	1		Canal N		150 V	33A (Tc)	10V	42mOhm @ 21A, 10V	5 V a 100 µA	40 nC @ 10 V	±20V	1750 pF a 50 V	-	144W (Tc)
IRF6810STRPBF	0,7300	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	DirectFET™ isométrico S1			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET S1	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		25 V	16A (Ta), 50A (Tc)	4,5V, 10V	5,2mOhm a 16A, 10V	2,1 V a 25 µA	11 nC @ 4,5 V	±16V	1038 pF a 13 V	-	2,1 W (Ta), 20 W (Tc)
IRF9233	2.1600	Solicitação de cotação	301	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AE			MOSFET (óxido metálico)		TO-204AE	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	1		Canal P		150 V	5,5A		-	-		-		padrão	75W
IRF640NSPBF	-	Solicitação de cotação	8104	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		200 V	18A (Tc)		150mOhm @ 11A, 10V	4 V a 250 µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF a 25 V	-	150W (Tc)
AUILR3105	1.0000	Solicitação de cotação	6933	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		TO-252AA	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		55 V	25A (Tc)		37mOhm a 15A, 10V	3 V a 250 µA	20 nC @ 5 V	±16V	710 pF a 25 V	-	57W (Tc)
IRF3710ZLPBF	-	Solicitação de cotação	5873	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		100 V	59A (Tc)	10V	18mOhm a 35A, 10V	4 V a 250 µA	120 nC @ 10 V	±20V	2.900 pF a 25 V	-	160W (Tc)