SIC
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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Estrutura Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) Número de SCRS, Diodos TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
AUIRL1404Z Infineon Technologies Auill1404z -
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 ECAD 2280 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001516820 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 nc @ 5 V ± 16V 5080 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRG8CH15K10F Infineon Technologies IRG8CH15K10F -
RFQ
 ECAD 2899 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer IRG8CH Padrão Morrer download Não Aplicável Alcançar Não Afetado SP001544928 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 10A, 10OHM, 15V - 1200 v 2V @ 15V, 10A - 65 NC 15ns/170ns
BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1 2.1000
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 ECAD 8 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC010 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 25 v 38A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.05mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 12 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
IRF7331TR Infineon Technologies IRF7331TR -
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 ECAD 6159 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF733 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 2 canal n (Duplo) 20V 7a 30mohm @ 7a, 4.5V 1.2V a 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V Portão de Nível Lógico
BCX5310E6327 Infineon Technologies BCX5310E6327 0,0900
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 ECAD 19 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 2 w PG-SOT89-4-2 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 50MA, 2V 125MHz
T2851N52TS03XPSA1 Infineon Technologies T2851N52TS03XPSA1 -
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 ECAD 2970 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto 125 ° C (TJ) Montagem do chassi TO-200AF Solteiro - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 1 350 Ma 5.2 KV 4680 a 2,5 v 82000A @ 50Hz 350 Ma 4120 a 1 scr
IRL2203NPBF-INF Infineon Technologies IRL2203NPBF-INF 1.0000
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 ECAD 2638 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 30 v 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 1V a 250µA 60 nc @ 4,5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 180W (TC)
IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies IPD80R2K7C3AATMA1 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD80R2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 v 2a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10V 3,9V a 250µA 1,5 nc @ 10 V ± 20V 290 pf @ 100 V - 42W (TC)
IPB60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R360CFD7ATMA1 2.8900
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 ECAD 1534 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB60R360 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10V 4.5V A 140µA 14 nc @ 10 V ± 20V 679 pf @ 400 V - 43W (TC)
IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies IAUC90N10S5N062ATMA1 2.7800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC -Q101, Optima ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IAUC90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 90A (TC) 6V, 10V 6.2mohm @ 45a, 10V 3.8V @ 59µA 36 nc @ 10 V ± 20V 3275 pf @ 50 V - 115W (TC)
SPB18P06P Infineon Technologies Spb18p06p -
RFQ
 ECAD 7720 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb18p MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 60 v 18.7a (TA) 10V 130mohm @ 13.2a, 10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 81.1W (TA)
IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies IRLS3036trlpbf 3.8000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRLS3036 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2,5V a 250µA 140 nc @ 4,5 V ± 16V 11210 PF @ 50 V - 380W (TC)
IRLR2908TRLPBF Infineon Technologies IRLR2908TRLPBF -
RFQ
 ECAD 1144 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 v 30a (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 23a, 10V 2,5V a 250µA 33 NC a 4,5 V ± 16V 1890 pf @ 25 V - 120W (TC)
IRFS5615TRLPBF Infineon Technologies IRFS5615TRLPBF -
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 ECAD 4541 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 33a (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µA 40 nc @ 10 V ± 20V 1750 PF @ 50 V - 144W (TC)
AUXCLFZ24NSTRL Infineon Technologies AUXCLFZ24NSTRL -
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 ECAD 8412 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 17a (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1 -
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 ECAD 7162 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD079 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 50a (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 34µA 29 NC a 4,5 V ± 20V 4900 pf @ 30 V - 79W (TC)
AUIRF7675M2TR Infineon Technologies AUIRF7675M2TR 2.7500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico M2 AUIRF7675 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ isométrico M2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 150 v 4.4a (ta), 18a (tc) 10V 56mohm @ 11a, 10V 5V @ 100µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1360 pf @ 25 V - 2.7W (TA), 45W (TC)
IRF6616TR1 Infineon Technologies IRF6616TR1 -
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 ECAD 5448 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico MX MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MX download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 19a (ta), 106a (tc) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 2,25V a 250µA 44 NC a 4,5 V ± 20V 3765 pf @ 20 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRGS4045DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4045DTRRPBF -
RFQ
 ECAD 4316 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 77 w D²pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 400V, 6A, 47OHM, 15V 74 ns - 600 v 12 a 18 a 2V @ 15V, 6a 56µJ (ON), 122µJ (Desligado) 19.5 NC 27ns/75ns
IGC06T60TEX7SA2 Infineon Technologies IGC06T60TEX7SA2 -
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 ECAD 7622 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo - - - IGC06 - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 - - - - -
IPP80N04S3H4AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S3H4AKSA1 -
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 ECAD 6133 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 40 v 80a (TC) 10V 4.8mohm @ 80a, 10V 4V A 65µA 60 nc @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 115W (TC)
IPI70P04P409AKSA1 Infineon Technologies IPI70P04P409AKSA1 -
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 ECAD 2561 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI70P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000735974 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 40 v 72a (TC) 10V 9.4mohm @ 70a, 10V 4V A 120µA 70 nc @ 10 V ± 20V 4810 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRL8113STRRPBF Infineon Technologies IRL8113STRPBF -
RFQ
 ECAD 4802 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 105a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 21a, 10V 2,25V a 250µA 35 nc @ 4,5 V ± 20V 2840 pf @ 15 V - 110W (TC)
PTF180101M V1 Infineon Technologies PTF180101M V1 -
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 ECAD 3058 0,00000000 Tecnologias Infineon Goldmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic 65 v Montagem na Superfície 10-TFSOP, 10 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) 1,99 GHz LDMOS PG-RFP-10 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 1µA 180 MA 10W 16.5dB - 28 v
BTS244Z E3043 Infineon Technologies BTS244Z E3043 -
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 ECAD 1214 0,00000000 Tecnologias Infineon Tempfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-5 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) P-PARA220-5-43 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 35a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 nc @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 25 V Diodo de detecção de temperatura 170W (TC)
IRFH4210TRPBF Infineon Technologies IRFH4210TRPBF -
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 ECAD 7078 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PQFN (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 v 45a (ta) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 50a, 10V 2.1V @ 100µA 74 NC @ 10 V ± 20V 4812 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 104W (TC)
F445MR12W1M1B76BPSA1 Infineon Technologies F445MR12W1M1B76BPSA1 -
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 ECAD 1455 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Coolsic ™ Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo F445MR Carboneto de Silício (sic) - Ag-Easy1b-2 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 4 Canais n (Meia Ponte) 1200V (1,2kV) 25a (TJ) 45mohm @ 25a, 15V 5.55V @ 10Ma 62NC @ 15V 1840pf @ 800V -
TT570N18KOFHPSA1 Infineon Technologies TT570N18KOFHPSA1 395.7600
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo TT570N CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 2 300 mA 1,8 kV 1050 a 2 v 20000a 250 Ma 566 a 2 scrs
IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R125CPXKSA1 7.0000
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 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R125 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 25a (TC) 10V 125mohm @ 16a, 10V 3.5V @ 1.1MA 70 nc @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 208W (TC)
IRLL024NTRPBF Infineon Technologies IRLL024NTRPBF 1.0000
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 ECAD 147 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA IRLL024 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 3.1a (ta) 4V, 10V 65mohm @ 3.1a, 10V 2V A 250µA 15,6 nc @ 5 V ± 16V 510 pf @ 25 V - 1W (TA)
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