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Produtos semicondutores discretos (16626)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Estrutura Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) Número de SCRS, Diodos TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
FF100R12MT4 Infineon Technologies FF100R12MT4 -
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 ECAD 9329 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
IRLU2705 Infineon Technologies IRLU2705 -
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 ECAD 2351 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRLU2705 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 55 v 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2V A 250µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
BCW60A Infineon Technologies BCW60A 0,0400
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 ECAD 1922 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download Não Aplicável Ear99 8541.21.0075 366 32 v 100 ma 20na Npn 550mv a 1,25mA, 50mA 120 @ 2MA, 5V 125MHz
IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPD95R450PFD7ATMA1 2.8900
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 ECAD 4696 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 950 v 13.3a (TC) 10V 450mohm @ 7.2a, 10V 3,5V A 360µA 43 nc @ 10 V ± 20V 1230 PF @ 400 V - 104W (TC)
IRGP6640D-EPBF Infineon Technologies IRGP6640D-EPBF -
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 ECAD 2913 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 200 w TO-247AD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001546152 Ear99 8541.29.0095 25 400V, 24A, 10OHM, 15V 70 ns - 600 v 53 a 72 a 1.95V @ 15V, 24A 90µJ (ON), 600µJ (Off) 50 nc 40ns/100ns
IRGC100B60KB Infineon Technologies IRGC100B60KB -
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 ECAD 6394 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície Morrer IRGC100 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - NPT 600 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A - -
IRL1104 Infineon Technologies IRL1104 -
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 ECAD 4852 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRL1104 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10V 1V a 250µA 68 nc @ 4,5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 167W (TC)
IPP60R360P7 Infineon Technologies IPP60R360P7 -
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 ECAD 7911 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo download 0000.00.0000 1
BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0904nsiatma1 0,9100
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 ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC0904 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 20A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies BSM25GD120DN2E3224BOSA1 -
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 ECAD 5986 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM25GD120 200 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico - 1200 v 35 a 3V @ 15V, 25A 800 µA Não 1,65 NF @ 25 V
BSP125L6327 Infineon Technologies BSP125L6327 0,3100
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 ECAD 4868 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4-21 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 325 N-canal 600 v 120mA (TA) 4.5V, 10V 45OHM @ 120MA, 10V 2.3V a 94µA 6,6 nc @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
BSO211PH Infineon Technologies BSO211ph 0,3300
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ p Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 532-BFBGA, FCBGA BSO211 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.6W (TA) 532-FCBGA (23x23) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 2.500 2 Canal P (Duplo) 20V 4a (ta) 67mohm @ 4.6a, 4.5V 1.2V @ 25µA 10NC @ 4.5V 1095pf @ 15V Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V
MMBTA42LT1 Infineon Technologies MMBTA42LT1 1.0000
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 ECAD 7159 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 300 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 500MV @ 2MA, 20MA 40 @ 30MA, 10V 50MHz
IRFB7446GPBF Infineon Technologies IRFB7446GPBF -
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 ECAD 2478 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Obsoleto - Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566710 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 120A (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 70a, 10V 3.9V @ 100µA 93 NC @ 10 V ± 20V 3183 pf @ 25 V - 99W (TC)
94-2498 Infineon Technologies 94-2498 -
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 ECAD 5742 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 -
IPU60R2K1CEBKMA1 Infineon Technologies IPU60R2K1CEBKMA1 -
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 ECAD 2362 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CE Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 v 2.3a (TC) 10V 2.1ohm @ 760mA, 10V 3,5V a 60µA 6,7 nc @ 10 V ± 20V 140 pf @ 100 V - 22W (TC)
T2563N85TS12XOSA1 Infineon Technologies T2563N85TS12XOSA1 -
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 ECAD 3829 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto 120 ° C (TJ) Montagem do chassi TO-200AF Solteiro - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 1 100 ma 8,5 kV 3600 a 93000A @ 50Hz 3330 a 1 scr
IGP20N60H3 Infineon Technologies IGP20N60H3 -
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 ECAD 4176 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 170 w PG-PARA220-3-1 download Ear99 8541.29.0095 230 400V, 20A, 14.6OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 600 v 40 a 80 a 2.4V @ 15V, 20A 450µJ (ON), 240µJ (OFF) 120 NC 16ns/194ns
IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies IPD90P04P405ATMA2 2.9100
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 ECAD 5959 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-313 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 40 v 90A (TC) 10V 4.7mohm @ 90a, 10V 4V A 250µA 154 nc @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies IRF520NSTLPBF -
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 ECAD 2099 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF520 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 9.7a (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
IPB180N06S4H1ATMA1 Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA1 -
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 ECAD 7333 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IPB180 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 180A (TC) 10V 1.7mohm @ 100a, 10V 4V @ 200µA 270 nc @ 10 V ± 20V 21900 pf @ 25 V - 250W (TC)
BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC072N08NS5ATMA1 1.8300
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 ECAD 53 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC072 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 80 v 74a (TC) 6V, 10V 7.2mohm @ 37a, 10V 3.8V @ 36µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
IRLL014NTRPBF Infineon Technologies IRLL014NTRPBF 0,9100
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 ECAD 69 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 2a (ta) 4V, 10V 140mohm @ 2a, 10V 2V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 16V 230 PF @ 25 V - 1W (TA)
BFP 182W H6327 Infineon Technologies BFP 182W H6327 0,0700
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 ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-82A, SOT-343 250mw PG-SOT343-4 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 22dB 12V 35mA Npn 70 @ 10MA, 8V 8GHz 0,9dB ~ 1,3dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies SPB100N04S2L-03 -
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 ECAD 6802 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb100n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 100a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 80a, 10V 2V A 250µA 230 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFH5004TR2PBF Infineon Technologies IRFH5004TR2PBF -
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 ECAD 1467 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 40 v 28a (ta), 100a (tc) 2.6mohm @ 50a, 10V 4V A 150µA 110 nc @ 10 V 4490 pf @ 20 V -
PTFA192001EV4T350XWSA1 Infineon Technologies PTFA192001EV4T350XWSA1 -
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 ECAD 8309 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tape & Reel (TR) Obsoleto download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000393368 Ear99 8541.29.0075 50
IKA10N60TXKSA1 Infineon Technologies Ika10n60txksa1 2.3200
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 ECAD 4364 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Ika10n Padrão 30 w PG-PARA220-3-31 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 23OHM, 15V 115 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 11.7 a 30 a 2.05V @ 15V, 10A 430µJ 62 NC 12ns/215ns
STT3400N16P76XPSA1 Infineon Technologies STT3400N16P76XPSA1 1.0000
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 ECAD 9060 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo - ROHS3 Compatível Ear99 8541.30.0080 1
62-0162PBF Infineon Technologies 62-0162pbf -
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 ECAD 2478 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 -
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