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Transistores (5716)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIR418DP-T1-GE3 | 1.3500 |  | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir418 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 20 V | - | 39W (TC) | |||
 | IRF830As | - | | 5679 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF830 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF830As | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 5a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 3A, 10V | 4.5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |
 | SI1065X-T1-E3 | - | | 8941 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1065 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 1.18a (ta) | 1.8V, 4.5V | 156mohm @ 1.18a, 4.5V | 950MV A 250µA | 10,8 nc @ 5 V | ± 8V | 480 pf @ 6 V | - | 236MW (TA) | ||
| SIHB065N60E-GE3 | 6.8400 | | 6078 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB065 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V A 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||
 | IRFPF30 | - | | 6955 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFPF30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFPF30 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 900 v | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |
| IRL620s | - | | 7203 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL620 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL620s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V A 250µA | 16 nc @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |
 | 2N6661JTXL02 | - | | 8572 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6661 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 90 v | 860mA (TC) | 5V, 10V | 4ohm @ 1a, 10V | 2V @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | |||
 | SISS92DN-T1-GE3 | 1.2000 | | 5690 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | Siss92 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 v | 3.4a (ta), 12.3a (tc) | 7.5V, 10V | 173mohm @ 3.6a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 125 V | - | 5.1W (TA), 65,8W (TC) | |||
 | IRFR24N10D | - | | 1847 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | *IRFR24N10D | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 v | - | - | - | - | - | ||||||
 | SUM50N06-16L-E3 | - | | 8922 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SUM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 16mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 40 nc @ 10 V | 1325 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 93W (TC) | ||||
| SISS10Adn-T1-GE3 | 0,9600 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | SISS10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 31.7a (ta), 109a (tc) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.4V a 250µA | 61 nc @ 10 V | +20V, -16V | 3030 PF @ 20 V | - | 4.8W (TA), 56,8W (TC) | |||
 | IRFD9120 | - | | 1664 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFD9120 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 100 v | 1a (ta) | 10V | 600MOHM @ 600MA, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | |
 | SISS98DN-T1-GE3 | 1.0800 | | 3279 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | Siss98 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 v | 14.1a (TC) | 7.5V, 10V | 105mohm @ 7a, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 7,5 V | ± 20V | 608 pf @ 100 V | - | 57W (TC) | |||
| IRF730SPBF | 1.1708 | | 4448 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF730 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF730SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 400 v | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||
 | IRLZ14PBF | 1.1100 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRLZ14 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irlz14pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V A 250µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||
| SI1065X-T1-GE3 | - | | 8934 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1065 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 1.18a (ta) | 1.8V, 4.5V | 156mohm @ 1.18a, 4.5V | 950MV A 250µA | 10,8 nc @ 5 V | ± 8V | 480 pf @ 6 V | - | 236MW (TA) | ||
| SI7655DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 24 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8S | SI7655 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 40A (TC) | 2.5V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10V | 1.1V @ 250µA | 225 NC @ 10 V | ± 12V | 6600 pf @ 10 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||
| IRFBF20STRLPBF | 2.4700 | | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFBF20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 900 v | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | |||
 | SI2318CDS-T1-GE3 | 0,4600 | | 19 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2318 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 5.6a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 4.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 9 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 20 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||
| IRFDC20PBF | 2.2600 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFDC20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irfdc20pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 600 v | 320mA (TA) | 10V | 4.4OHM @ 190MA, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||
 | SQS460EN-T1_GE3 | 1.2900 | | 8676 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SQS460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 5.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 755 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||
 | SI4170DY-T1-GE3 | - | | 3389 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 15a, 10V | 2.6V a 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4355 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | ||
| IRF820SPBF | 1.8600 | | 590 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF820 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF820SPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 2.5a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||
 | SQP100P06-9M3L_GE3 | - | | 5131 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SQP100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 60 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 300 nc @ 10 V | ± 20V | 12010 pf @ 25 V | - | 187W (TC) | ||||
 | SI1012R-T1-GE3 | 0,4500 | | 214 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-75A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 500mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 700MOHM @ 600MA, 4,5V | 900MV A 250µA | 0,75 nc @ 4,5 V | ± 6V | - | 150mW (TA) | |||
 | SUD50N04-16P-E3 | - | | 6664 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SUD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 40 v | 9.8a (ta), 20a (tc) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 16V | 1655 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 35,7W (TC) | ||
| IRF730ASPBF | 2.2900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF730 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF730ASPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4.5V a 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||
| SI1021R-T1-GE3 | 0,5500 | | 43 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | SI1021 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-75A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 190mA (TA) | 4.5V, 10V | 4ohm @ 500mA, 10V | 3V A 250µA | 1,7 nc @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 250mW (TA) | ||
 | IRF740AL | - | | 3007 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRF740 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF740AL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |
 | 3N164 | - | | 4665 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | - | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-72 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | Canal P. | 30 v | 50mA (TA) | 20V | 300OHM @ 100µA, 20V | 5V @ 10µA | ± 30V | 3,5 pf @ 15 V | - | 375MW (TA) |
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