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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB093N04LGATMA1 | - |  | 4676 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB093N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 50a, 10V | 2V @ 16µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 20 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||
 | STL19N60M2 | 1.3035 | | 6010 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | STL19 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerflat ™ (8x8) HV | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 4V A 250µA | 21,5 nc @ 10 V | ± 25V | 791 pf @ 100 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||
 | IRF6638TRPBF | - | | 4606 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 v | 25a (ta), 140a (tc) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 100µA | 45 nc @ 4,5 V | ± 20V | 3770 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||
 | BS170rlrmg | - | | 1711 | 0,00000000 | Onsemi | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) | BS170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92 (TO-226) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 500mA (TA) | 10V | 5ohm @ 200Ma, 10V | 3V @ 1Ma | ± 20V | 60 pf @ 10 V | - | 350mW (TA) | ||||||||||||||
 | RM138 | 0,0320 | | 3450 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM138TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-canal | 50 v | 220mA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5OHM @ 220MA, 10V | 1.4V A 250µA | ± 20V | 27 pf @ 25 V | - | 350mW (TA) | |||||||||||||||
 | Buk7237-55a, 118 | 0,3200 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk72 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC016N03MSGATMA1 | 1.6100 | | 15 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 28a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 30a, 10V | 2V A 250µA | 173 NC @ 10 V | ± 20V | 13000 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
 | FDMS2504SDC | 2.1900 | | 7 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Dual Cool ™, PowerTrench®, Syncfet ™ | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 v | 42a (ta), 49a (tc) | 4.5V, 10V | 1.25mohm @ 32a, 10V | 3V @ 1Ma | 119 NC @ 10 V | ± 20V | 7770 PF @ 13 V | - | 3.3W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||
 | LP8M3FP8TB1 | - | | 6873 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | LP8M3 | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 846-lp8m3fp8tb1tr | Obsoleto | 2.500 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPB65R380C6 | 0,9200 | | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 10.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 3,5V A 320µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||
 | AO4406AL | - | | 6441 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 13a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 910 pf @ 15 V | - | 3.1W (TC) | |||||||||||||
 | AOD409_002 | - | | 6907 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 26a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||
| ATF-521P8-TR1 | - | | 6994 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 7 v | 8-WFDFN PAD EXPOSTO | 2GHz | phemt fet | 8-lpcc (2x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 500mA | 200 MA | 26.5dbm | 17db | 1.5dB | 4,5 v | |||||||||||||||||||
| MCH3478-TL-WZ | - | | 5494 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | MCH3478 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 1.8V, 4.5V | ± 12V | ||||||||||||||||||||||||||
 | BTS114AE3045antma1 | 3.4100 | | 24 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | PG-PARA220-3-5 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 88 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PD85025STR-E | - | | 4019 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 40 v | Powerso-10rf Pad Inferior Exposto (2 leads retos) | PD85025 | 870MHz | LDMOS | Powerso-10RF (Chumbo Retro) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 7a | 300 mA | 10W | 17.3db | - | 13,6 v | |||||||||||||||||
 | PJQ5474A_R2_00001 | 0,3206 | | 6410 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | PJQ5474 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJQ5474A_R2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 18a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 2,5V a 250µA | 61 nc @ 10 V | ± 20V | 3555 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | |||||||||||
 | EMH2411R-TL-H | - | | 9391 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | EMH2411 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 8-EMH | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 30V | 5a | 36.5mohm @ 2.5a, 4.5V | - | 5.9nc @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V | |||||||||||||||
| ISL9N310AS3ST | 0,3300 | | 70 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 62a (TC) | 4.5V, 10V | 10ohm @ 62a, 10a | 3V A 250µA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 70W (TA) | |||||||||||||
 | Aptm10tdum09pg | - | | 7148 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | Sp6-p | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 100V | 139a | 10mohm @ 69.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 350NC @ 10V | 9875pf @ 25V | - | |||||||||||||||
| SSM3K17SU, LF (d | - | | 9558 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | SSM3K17 | - | 1 (ilimito) | Ssm3k17sulf (d | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 100mA (ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLD120PBF | 1.7500 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRLD120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *Irld120pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 100 v | 1.3a (ta) | 4V, 5V | 270mohm @ 780mA, 5V | 2V A 250µA | 12 nc @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||
 | BLF8G22LS-270V, 118 | - | | 5313 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT-1244B | Blf8 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | CDFM6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934066767118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 2.4 a | 80W | 17.3db | - | 28 v | |||||||||||||||
| TSM60NB099PW | 9.1589 | | 3826 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB099PW | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-canal | 600 v | 38a (TC) | 10V | 99mohm @ 11.7a, 10V | 4V A 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 2587 pf @ 100 V | - | 329W (TC) | ||||||||||||
 | IRFIZ44G | - | | 8638 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Irfiz44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irfiz44g | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 30a (TC) | 10V | 28mohm @ 18a, 10V | 4V A 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||
| PTNC210604MD-V2-R5 | 45.8368 | | 6559 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 65 v | Montagem na Superfície | Módulo 14-POWERSMD | PTNC210604 | 1.805 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS (DUPLO) | PG-HB1DSO-14-1 | - | 1697-PTNC210604MD-V2-R5TR | 500 | - | 1µA | 150 MA | 60W | 27dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||
 | FDD5N53TM_WS | - | | 3156 | 0,00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FDD5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 530 v | 4a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2A, 10V | 5V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 30V | 640 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
 | NTMFSC010N08M7 | 1.6500 | | 5 | 0,00000000 | Onsemi | Dual Cool ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6.15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 12.5a (ta), 61a (tc) | 10V | 10mohm @ 10a, 10V | 4.5V A 120µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 40 V | - | 3.3W (TA), 78.1W (TC) | |||||||||||||
 | RJK0390DPA-WS#J53 | 1.4800 | | 5 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SIZF5300DT-T1-GE3 | 2.0700 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 12-Powerpair ™ | SIZF5300 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4.5W (TA), 56,8W (TC) | Powerpair® 3x3fs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 30V | 35a (ta), 125a (tc) | 2.43mohm @ 10a, 10V | 2V A 250µA | 32NC @ 10V | 1480pf @ 15V | - |
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